Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
Рисунок 1. Изображение профиля нанопровода после синтеза.
Наномостики, полученные на слаболегированных кремниевых подложках.
Наномостики, полученные на высоколегированных подложках. Ширина мостиков остается практически постоянной на протяжении всей длины.

Высокоупорядоченные массивы нанопроводов для FET-устройств

Ключевые слова:  FET, TFT, наноконтакт, периодика, полупроводник

Опубликовал(а):  Андрей

19 октября 2007

Считается, что полупроводящие нанопровода являются перспективными конструкционными деталями для создания полевых транзисторов (field-effect transistor, FET) как в микро-, так и в наномасштабе. Такие транзисторы хорошо подходят для создания высокоэффективных TFT (Thin-Film Transistor), являются пригодными для различной гибкой электроники и высокочувствительных биосенсоров. Но для подобных устройств требуется хорошая упорядоченность нанопроводов. Однако для промышленных масштабов крайне сложно достигнуть желаемых одинаковых проводов с диаметром, меньшим 100 нм, а высокая дороговизна оборудования и необходимость присутствия кремния на подложке для использования непосредственно в устройствах окончательно уменьшают масштабы работ над такими нанопроводами до лабораторных. С другой стороны, постоянные исследования привели к значительным продвижениям в производстве нанопроводов. Но даже несмотря на огромные денежные затраты, до сих пор получение выровненных массивов нанопроводов является сложным и тонким делом, к тому же такие «проводки» надо уметь «собирать» и обединять на больших прощадях, для каждого нанопровода контролируя угол изгиба и длину.

Корейские ученые изобрели новый способ довольно простого синтеза кремниевых нанопроводов. Они были получены с помощью микрообрабатывающих технологий: фотолитографии, анизотропного травления и термического окисления кремниевой подложки с последующим удалением SiO2, при этом профиль нанонити представлял собой два треугольника, скрепленных углами (см. фото. А). Электрические свойства конролируются выбором подложки, точнее типа и степени легирующей ее смеси. Так как процесс создания т.н. top-down нанопроводов совместим с обработкой полупроводников, то процесс диффузии примеси для полупроводниковой электроники может напрямую быть примененным к созданию нанопроводов. Авторы статьи исследовали кремниевый нанопровод, созданный на основе высокодопированной бором кремниевой подложки, и показали, что на некоторых его участках диаметр получился различный. Так же исследовалось получение нанопроводов на слаболегированных подложках. На рисунке (Е) показаны как раз такие наноконтакты (мостики), ширина которых варьирует от 15 до 120 нм. Если допирование проводить после термического окисления при получении нанопровода, то диаметр его одинаков на протяжении практически всей длины, при этом наблюдается высокая концентрация бора (см. рис F). Таким образом, варьируя концентрациями бора, можно получать оммические контакты (ohmic source-drain contacts) для FET-устройств.

Но для дальнейшего использования нанопроводов их надо уметь перемещать на подходящие подложки (в том числе и пластиковые). Это похоже на процесс печати – на рисунке изображен перенос нанопровода, причем основополагающую роль при перевороте играет треугольная форма верхней части в его профиле В эксперименте использовались совершенно различные отдельно расположенные «проводки» диаметром в 20-200 нм и длиной 5-200 мкм. «Удачные» переносы были осуществлены в 90% случаях при размерах диаметра около 100 нм (что является высоким «выходом» производства), и немногим меньше в случае 50 нм, при этом для длин от 10 до 100 мкм «транспортизацию» было легко контролировать.

Исследования электрических свойств показали, что характеристики наноконтакта n-типа превосходят характеристики наноконтакта p-типа. Если учитывать, что результаты были сделаны для первых образцов, то, очевидно, они могут значительно улучшиться путем термообработки и оптимизации.

Таким образом, с помощью относительно простого способа получения высокоупорядоченных кремниевых массивов нанопроводов для больших площадей и последующего переноса были получены прекрасные FET-характеристики на их основе.


Источник: Nanotechnology




Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Новогодняя елочка (Christmas tree? Chemistree! )
Новогодняя елочка (Christmas tree? Chemistree! )

4 февраля объявили лауреатов V Всероссийской премии «За верность науке»
4 февраля в здании Минобрнауки РФ состоялась торжественное награждение лауреатов V Всероссийской премии «За верность науке». 11 научно-просветительских проектов были отмечены престижной наградой.

Всероссийский съезд учителей и преподавателей химии
5 февраля в Московском университете в Шуваловском корпусе МГУ состоится Всероссийский съезд учителей и преподавателей химии, посвященный Международному году Периодической таблицы химических элементов, начало - 10 часов.

Зимняя научная конференция студентов 4 курса ФНМ МГУ 22-23 января 2019 г.
Сафронова Т.В.
Настоящий сборник содержит тезисы докладов зимней научной студенческой конференции студентов 4-го курса ФНМ

Самые необычные таблицы Менделеева на выставке Международного года Периодической таблицы химических элементов

6-8 февраля в Российской академии наук состоялось торжественное открытие Международного года периодической таблицы химических элементов в России и приуроченная к этому масштабная интерактивная выставка

Почувствовать живое...
Е.А.Гудилин, А.А.Семенова, Н.А.Браже
Неразрушающее исследование живых клеток и клеточных структур является в настоящее время важным направлением научных изысканий, которые во многих зарубежных и российских научных группах направлены на достижение вполне прагматической цели – разработку новых принципов биомедицинской диагностики и эффективных подходов в нарождающейся персональной медицине.

Инновационные системы: достижения и проблемы
Олег Фиговский, Валерий Гумаров

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!

Опыт обучения в области нанотехнологического технопредпринимательства

В этом опросе мы просим поделиться опытом и Вашим отношением к нанотехнологическому технопредпринимательству и смежным областям. Заранее спасибо за Ваше неравнодушие!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.