Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
Рисунок 1. Изображение профиля нанопровода после синтеза.
Наномостики, полученные на слаболегированных кремниевых подложках.
Наномостики, полученные на высоколегированных подложках. Ширина мостиков остается практически постоянной на протяжении всей длины.

Высокоупорядоченные массивы нанопроводов для FET-устройств

Ключевые слова:  FET, TFT, наноконтакт, периодика, полупроводник

Опубликовал(а):  Андрей

19 октября 2007

Считается, что полупроводящие нанопровода являются перспективными конструкционными деталями для создания полевых транзисторов (field-effect transistor, FET) как в микро-, так и в наномасштабе. Такие транзисторы хорошо подходят для создания высокоэффективных TFT (Thin-Film Transistor), являются пригодными для различной гибкой электроники и высокочувствительных биосенсоров. Но для подобных устройств требуется хорошая упорядоченность нанопроводов. Однако для промышленных масштабов крайне сложно достигнуть желаемых одинаковых проводов с диаметром, меньшим 100 нм, а высокая дороговизна оборудования и необходимость присутствия кремния на подложке для использования непосредственно в устройствах окончательно уменьшают масштабы работ над такими нанопроводами до лабораторных. С другой стороны, постоянные исследования привели к значительным продвижениям в производстве нанопроводов. Но даже несмотря на огромные денежные затраты, до сих пор получение выровненных массивов нанопроводов является сложным и тонким делом, к тому же такие «проводки» надо уметь «собирать» и обединять на больших прощадях, для каждого нанопровода контролируя угол изгиба и длину.

Корейские ученые изобрели новый способ довольно простого синтеза кремниевых нанопроводов. Они были получены с помощью микрообрабатывающих технологий: фотолитографии, анизотропного травления и термического окисления кремниевой подложки с последующим удалением SiO2, при этом профиль нанонити представлял собой два треугольника, скрепленных углами (см. фото. А). Электрические свойства конролируются выбором подложки, точнее типа и степени легирующей ее смеси. Так как процесс создания т.н. top-down нанопроводов совместим с обработкой полупроводников, то процесс диффузии примеси для полупроводниковой электроники может напрямую быть примененным к созданию нанопроводов. Авторы статьи исследовали кремниевый нанопровод, созданный на основе высокодопированной бором кремниевой подложки, и показали, что на некоторых его участках диаметр получился различный. Так же исследовалось получение нанопроводов на слаболегированных подложках. На рисунке (Е) показаны как раз такие наноконтакты (мостики), ширина которых варьирует от 15 до 120 нм. Если допирование проводить после термического окисления при получении нанопровода, то диаметр его одинаков на протяжении практически всей длины, при этом наблюдается высокая концентрация бора (см. рис F). Таким образом, варьируя концентрациями бора, можно получать оммические контакты (ohmic source-drain contacts) для FET-устройств.

Но для дальнейшего использования нанопроводов их надо уметь перемещать на подходящие подложки (в том числе и пластиковые). Это похоже на процесс печати – на рисунке изображен перенос нанопровода, причем основополагающую роль при перевороте играет треугольная форма верхней части в его профиле В эксперименте использовались совершенно различные отдельно расположенные «проводки» диаметром в 20-200 нм и длиной 5-200 мкм. «Удачные» переносы были осуществлены в 90% случаях при размерах диаметра около 100 нм (что является высоким «выходом» производства), и немногим меньше в случае 50 нм, при этом для длин от 10 до 100 мкм «транспортизацию» было легко контролировать.

Исследования электрических свойств показали, что характеристики наноконтакта n-типа превосходят характеристики наноконтакта p-типа. Если учитывать, что результаты были сделаны для первых образцов, то, очевидно, они могут значительно улучшиться путем термообработки и оптимизации.

Таким образом, с помощью относительно простого способа получения высокоупорядоченных кремниевых массивов нанопроводов для больших площадей и последующего переноса были получены прекрасные FET-характеристики на их основе.


Источник: Nanotechnology




Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Нанопровод
Нанопровод

NAUKA 0+ Фестиваль науки в Москве
8-10 октября в Москве проходит Фестиваль науки NAUKA 0+. В этом году фестиваль соберёт учёных со всех шести континентов нашей планеты, лучших исследователей из России, лауреатов государственных премий, молодых учёных, и, конечно, лауреатов Нобелевской премии.

Названы лауреаты Нобелевской премии по химии
Нобелевскую премию по химии за 2021 год присудили Бенджамину Листу и Дэвиду Макмиллану за разработку методов асимметричного органокатализа

Названы лауреаты Нобелевской премии по физике
Нобелевскую премию по физике за 2021 год присудили трем ученым — Сюкуро Манабе, Клаусу Хассельману и Джорджио Паризи.

Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2021
Коллектив авторов
Защиты выпускных квалификационных работ (квалификация – бакалавр материаловедения) по направлению 04.03.02 - «химия, физика и механика материалов» на Факультете наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова состоятся 8, 9, 10 и 11 июня 2021 г. Начало защит в 11.00. Защиты пройдут с использованием дистанционных образовательных технологий.

Академик Е.Н. Каблов: «Для освоения космоса нужны новые материалы»
Янина Хужина
В этом году весь мир отмечает 60-летие первого полета человека в космос. Успех миссии Юрия Гагарина стал возможен благодаря слаженной работе многих людей: физиков, математиков, конструкторов, инженеров-проектировщиков и, конечно, материаловедов. «Научная Россия» обсудила с академиком РАН Евгением Кабловым основные вехи в развитии космического и авиационного материаловедения.

Материалы к защитам магистерских квалификационных работ на ФНМ МГУ в 2021 году
коллектив авторов
25 - 28 мая пройдут защиты магистерских диссертаций выпускниками Факультета наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова.

Эра технопредпринимательства

В эпоху коронавируса и борьбы с ним в существенной степени меняется парадигма выполнения творческих работ и ведения бизнеса, в той или иной мере касаясь привлечения новых типов дистанционного взаимодействия, использования виртуальной реальности и элементов искусственного интеллекта, продвинутого сетевого маркетинга, использования современных информационных технологий и инновационных подходов. В этих условиях важным является, насколько само общество готово к использованию этих новых технологий и как оно их воспринимает. Данной проблеме и посвящен этот небольшой опрос, мы будет рады, если Вы уделите ему пару минут и ответите на наши вопросы.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.