Впервые, используя комбинированную методику - селективное фототравление и АСМ, удалось выявить модуляции состава, возникающие в результате протекания процесса спинодального распада в квазибинарной системе InGaAs, выращенной методом атомно-слоевой МЛЭ на GaAs подложке при температуре 5000С. Толщина слоя составляла 47 нм, в процессе травления толщина уменьшается примерно на 30 нм. Топография поверхности имеет характерный вид вид "корзиночного плетения" и состоит из квазипериодических полос (выступов), соответствующих областям, обогащенным индием. Соответственно, области, обогащенные галлием, - впадины. Широкие полосы - грубые модуляции ("coarse") имеют для данного объекта период ~50 нм. На их фоне видны тонкие модуляции ("fine") с периодом ~7-8 нм и высотой профиля ~ 1 нм. Представленные изображения демонстрируют еще одну экспериментальную возможность изучения спинодального распада в подобных системах, механизм которого до сих пор полностью не ясен. Практическое значение состоит в том, что возможен анализ (достаточно экспрессный по сравнению с ТЕМ) структуры на больших площадях и в любом месте выращенного слоя, кроме того, выявленные периодические структуры могут служить матрицей-темплатой для выращивания упорядоченной структуры QD's (квантовых точек).
 |
