Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

Научные группы: Лаборатория приборов и методов эпитаксиальных нанотехнологий

Цырлин Георгий Эрнстович
Методом МПЭ выращены массивы нанометровых нитевидных кристаллов GaAs на подложках GaAs различной кристаллографической ориентации
Организация
Ключевые слова
Область деятельности
  • Наноматериалы
  • физическая химия
Научные интересы
  • исследование физических свойств полупроводниковых сверхрешеток и квантовых точек
  • разработка приборной базы для установок молекулярно-пучковой эпитаксии
  • разработка технологии получения нанометровых нитевидных кристаллов в системе А3В5
  • разработка технологической базы для создания светоизлучающих диодных структур на кремнии
  • экспериментальные и теоретические исследования физических явлений и процессов, происходящих при молекулярно-пучковой эпитаксии напряженных гетероструктур, в системах In(Ga,Al)As/GaAs, Ge/Si, InAs/Si.
Контактная информация
Телефон +7 812 247-93-50
Факс +7 812 251-70-38
Электронная почта cirlin@beam.ioffe.ru
Индекс 190103
Адрес Санкт-Петербург,Рижский пр.,26
Страница научной группы в интернете
Научный коллектив
  • Горай Леонид Иванович, старший научный сотрудник, кандидат наук
  • Демидов Владимир Николаевич , ведущий электроник
  • Егоров Вячеслав Анатольевич , кандидат наук
  • Поляков Николай Константинович, ведущий электроник
  • Полякова Елена Александровна, инженер
  • Самсоненко Юрий Борисович , старший научный сотрудник
  • Сибирев Николай Владимирович, аспирант
  • Тонких Александр Александрович , электроник
  • Цырлин Георгий Эрнстович, зав. лабораторией, доктор наук
Описание

Лаборатория была создана в 1985 г. Основное направление деятельности на начальном этапе (до 1992 г.) – участие в разработке установок МПЭ класса ЭП. В настоящее время одна из установок класса ЭП1203 использется в лаборатории для получения уникальных структур на основе квантовых точек и квантовых проволок (нановискеры), составляющих элементную базу приборов нового поколения.


Начиная с 1992 г. разрабатываются технологии создания квантово-размерных гетероструктур, проводится детальное исследование процессов эпитаксиального роста при МПЭ и ее разновидностях, разрабатываются аппаратно-программные средства для диагностики и управления процессами роста.


Основные результаты научной деятельности:

  • Теоретически и экспериментально исследованы кинетические аспекты образования квантовых точек в системах InAs/GaAs и Ge/Si.
  • Обнаружено экспериментально и теоретически обосновано образование квантовых точек в докритической области толщин упругонапряженной эпитаксиальной пленки.
  • Разработаны детальные кинетические теории роста нанометровых нитевидных кристаллов (нановискеров) в методе молекулярно-пучковой эпитаксии по механизму пар-жидкость-кристалл и диффузионному механизму.
  • Синтезированы массивы нановискеров GaAs и AlGaAs на подложках GaAs различной ориентации. Исследованы основные особенности формирования нановискеров в зависимости от условий МПЭ роста.
  • Синтезирован новый тип полупроводниковых квантовых структур – квантовые молекулы, представляющие собой туннельно связанные пары InAs квантовых точек в матрице GaAs и детально исследованы их оптические и структурные свойства.
  • Разработана воспроизводимая технология эффективных светоизлучающих диодных структур на основе многослойных селективно легированных гетероструктур Ge/Si на подложках Si.
Научные связи
  • Max-Planck Institute of Microstructure Physics, Германия
  • Институт Физики им.В.А.Фока, Санкт-Петербург
  • Лаборатория Фотоники и Наноструктур , Франция
  • Санкт-Петербургский Государственный Технический Университет, Санкт-Петербург
  • Санкт-Петербургский Государственный Университет, Санкт-Петербург
  • Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН, Москва
  • Центр цитологии РАМН, Москва
Проекты и гранты
грант РФФИ (05-02-16495-а ) "Экспериментальные и теоретические исследования процессов формирования нитевидных кристаллов нанометрового диапазона в системе А3В5 при молекулярно-пучковой эпитаксии", 2005 – 2007

грант РФФИ (05-02-16568-а ) "Теоретические и экспериментальные исследования кинетики формирования квантовых точек в гетероэпитаксиальных системах A3B5 и A2B6", 2005 – 2007

грант РФФИ (05-02-17780-а) "Экситонная спектроскопия взаимодействующих квантовых точек и коллективные эффекты в многослойных наноструктурах", 2005 – 2007

научная программа президиума РАН "Низкоразмерные квантовые структуры"

научная программа президиума РАН "Влияние атомно- кристаллической и электронной структуры на свойства конденсированных сред"

INTAS (2001-0615 ) "Intraband and interband transitions of carriers in type I and type II nanostructures with quantum dots, quantum dot molecules and impurities"

Наиболее значимые публикации
Цырлин Г.Э., Тонких А.А., Птицин В.Э., Дубровский В.Г., Масалов С.А., Евтихиев В.П., Денисов Д.В., Устинов В.М., Werner P., ""Влияние сурьмы на морфологию и свойства массива Ge/Si(100)-квантовых точек"" // ФТТ, 2005, 47(1), 58 - 62

Соболев Н.А., Денисов Д.В., Емельянов А.М., Шек Е.И., Бер Б.Я., Коварский А.П., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Устинов В.М., Цырлин Г.Э., Котерева Т.В., ""Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние условий эпитаксиального роста на концентрацию примесей и фотолюминесценцию"" // ФТТ, 2005, 47(1), 108 - 111

Воробьев Л.Е., Паневин В.Ю., Федосов Н.К., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Andreev A.A., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Крыжановская Н.В., Устинов В.М., Hanna S., Seilmeier A., Zakharov N.D., Werner P., ""Оптические явления в гетероструктурах InAs / GaAs с легированными квантовыми точками и искусственными молекулами" " // ФТТ, 2005 (39(1)), 59 - 62

Talalaev V. G., Tomm J. W., Zakharov N. D., Werner P., Novikov B. V. and Tonkikh A. A. , "“Transient spectroscopy of InAs quantum dot molecules”" // Appl.Phys.Lett., 2004 (85(2)), 284 - 286

Dubrovskii V.G., Cirlin G.E., Musikhin Yu.G., Samsonenko Yu.B., Tonkikh A.A., Polyakov N.K., Egorov V.A., Tsatsul'nikov A.F., Krizhanovskaya N.A., Ustinov V.M. and Werner P., "“Effect of growth kinetics on the structural and optical properties of quantum dot ensembles”" // Journal of Crystal Growth, 2004 (267(1-2)), 47 - 59

Коллоидные наночастицы серебра на слюде
Коллоидные наночастицы серебра на слюде

Графен помог ученым МГУ понять механизм работы литиевых аккумуляторов нового типа
Сотрудники МГУ запатентовали электрохимическую ячейку, позволяющую с помощью высокочувствительных методов анализа поверхности изучать химические процессы в материалах аккумуляторов. Разработка позволит понять процессы, возникающие при использовании литий-воздушных аккумуляторов. Этот тип аккумуляторов при одинаковой массе обладает в 5 раз большей ёмкостью, чем широко распространённые литий-ионные.

ФИОП и еНано открыли прием заявок на IV конкурс молодежных проектов по инновационному развитию бизнеса «Технократ»
Фонд инфраструктурных и образовательных программ и компания еНано открыли прием заявок на IV конкурс молодежных проектов по инновационному развитию бизнеса «Технократ», который проводится в рамках программы «УМНИК» Фонда содействия инновациям.

NT-MDT S.I. на ближайших конференциях.
Дорогие коллеги, NT-MDT S.I. в ближайшее время будет представлена на двух конференциях.

Эксперт: Ингредиенты готовы к началу реакции
Вера Колерова
Малотоннажная химия по-прежнему не в фаворе у бизнеса и власти. Первый не идет в этот сектор из-за больших вложений и долгих сроков окупаемости. А правительство приняло всего лишь дорожную карту развития этой подотрасли. Но предпосылки для ее подъема все-таки есть. Важно не упустить момент ...

Оптическая жизнь дисульфидных нанотрубок
А.Ю.Поляков, Е.А.Гудилин
Недавно полученные экспериментальные результаты позволяют рассматривать нанотрубки дисульфида вольфрама в качестве основы для новых фотонных устройств, элементов оптических схем. Кроме того, знания о нетривиальных оптических особенностях данных наноструктур позволят по-новому взглянуть на свойства композитов плазмонных наночастиц золота и серебра с дисульфидными нанотрубками.

Наноматериалы в ядерных технологиях
Тананаев И.Г.
Сегодня активное развитие ядерных технологий – мировая тенденция, связанная с обеспечением устойчивого развития мирового сообщества. Решение энергетических проблем путем строительства новых атомных станций, формирование персонифицированной высокотехнологической медицины за счет внедрения ядерной медицины, освоение Арктики и космического пространства – основы ядерных технологий, не говоря об обеспечении государственной безопасности и удержания паритета ядерных вооружений.

Инновационные системы: достижения и проблемы
Олег Фиговский, Валерий Гумаров

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!

Опыт обучения в области нанотехнологического технопредпринимательства

В этом опросе мы просим поделиться опытом и Вашим отношением к нанотехнологическому технопредпринимательству и смежным областям. Заранее спасибо за Ваше неравнодушие!

Проектная работа

Сегодня становится все более популярной так называемая проектная работа школьников, однако на этот счет есть очень разные мнения. Мы были бы признательны, если бы Вы высказали кратко свое мнение по этому поводу путем голосования. Заранее благодарны!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.