Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

Научные группы: Лаборатория приборов и методов эпитаксиальных нанотехнологий

Цырлин Георгий Эрнстович
Методом МПЭ выращены массивы нанометровых нитевидных кристаллов GaAs на подложках GaAs различной кристаллографической ориентации
Организация
Ключевые слова
Область деятельности
  • Наноматериалы
  • физическая химия
Научные интересы
  • исследование физических свойств полупроводниковых сверхрешеток и квантовых точек
  • разработка приборной базы для установок молекулярно-пучковой эпитаксии
  • разработка технологии получения нанометровых нитевидных кристаллов в системе А3В5
  • разработка технологической базы для создания светоизлучающих диодных структур на кремнии
  • экспериментальные и теоретические исследования физических явлений и процессов, происходящих при молекулярно-пучковой эпитаксии напряженных гетероструктур, в системах In(Ga,Al)As/GaAs, Ge/Si, InAs/Si.
Контактная информация
Телефон +7 812 247-93-50
Факс +7 812 251-70-38
Электронная почта cirlin@beam.ioffe.ru
Индекс 190103
Адрес Санкт-Петербург,Рижский пр.,26
Страница научной группы в интернете
Научный коллектив
  • Горай Леонид Иванович, старший научный сотрудник, кандидат наук
  • Демидов Владимир Николаевич , ведущий электроник
  • Егоров Вячеслав Анатольевич , кандидат наук
  • Поляков Николай Константинович, ведущий электроник
  • Полякова Елена Александровна, инженер
  • Самсоненко Юрий Борисович , старший научный сотрудник
  • Сибирев Николай Владимирович, аспирант
  • Тонких Александр Александрович , электроник
  • Цырлин Георгий Эрнстович, зав. лабораторией, доктор наук
Описание

Лаборатория была создана в 1985 г. Основное направление деятельности на начальном этапе (до 1992 г.) – участие в разработке установок МПЭ класса ЭП. В настоящее время одна из установок класса ЭП1203 использется в лаборатории для получения уникальных структур на основе квантовых точек и квантовых проволок (нановискеры), составляющих элементную базу приборов нового поколения.


Начиная с 1992 г. разрабатываются технологии создания квантово-размерных гетероструктур, проводится детальное исследование процессов эпитаксиального роста при МПЭ и ее разновидностях, разрабатываются аппаратно-программные средства для диагностики и управления процессами роста.


Основные результаты научной деятельности:

  • Теоретически и экспериментально исследованы кинетические аспекты образования квантовых точек в системах InAs/GaAs и Ge/Si.
  • Обнаружено экспериментально и теоретически обосновано образование квантовых точек в докритической области толщин упругонапряженной эпитаксиальной пленки.
  • Разработаны детальные кинетические теории роста нанометровых нитевидных кристаллов (нановискеров) в методе молекулярно-пучковой эпитаксии по механизму пар-жидкость-кристалл и диффузионному механизму.
  • Синтезированы массивы нановискеров GaAs и AlGaAs на подложках GaAs различной ориентации. Исследованы основные особенности формирования нановискеров в зависимости от условий МПЭ роста.
  • Синтезирован новый тип полупроводниковых квантовых структур – квантовые молекулы, представляющие собой туннельно связанные пары InAs квантовых точек в матрице GaAs и детально исследованы их оптические и структурные свойства.
  • Разработана воспроизводимая технология эффективных светоизлучающих диодных структур на основе многослойных селективно легированных гетероструктур Ge/Si на подложках Si.
Научные связи
  • Max-Planck Institute of Microstructure Physics, Германия
  • Институт Физики им.В.А.Фока, Санкт-Петербург
  • Лаборатория Фотоники и Наноструктур , Франция
  • Санкт-Петербургский Государственный Технический Университет, Санкт-Петербург
  • Санкт-Петербургский Государственный Университет, Санкт-Петербург
  • Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН, Москва
  • Центр цитологии РАМН, Москва
Проекты и гранты
грант РФФИ (05-02-16495-а ) "Экспериментальные и теоретические исследования процессов формирования нитевидных кристаллов нанометрового диапазона в системе А3В5 при молекулярно-пучковой эпитаксии", 2005 – 2007

грант РФФИ (05-02-16568-а ) "Теоретические и экспериментальные исследования кинетики формирования квантовых точек в гетероэпитаксиальных системах A3B5 и A2B6", 2005 – 2007

грант РФФИ (05-02-17780-а) "Экситонная спектроскопия взаимодействующих квантовых точек и коллективные эффекты в многослойных наноструктурах", 2005 – 2007

научная программа президиума РАН "Низкоразмерные квантовые структуры"

научная программа президиума РАН "Влияние атомно- кристаллической и электронной структуры на свойства конденсированных сред"

INTAS (2001-0615 ) "Intraband and interband transitions of carriers in type I and type II nanostructures with quantum dots, quantum dot molecules and impurities"

Наиболее значимые публикации
Цырлин Г.Э., Тонких А.А., Птицин В.Э., Дубровский В.Г., Масалов С.А., Евтихиев В.П., Денисов Д.В., Устинов В.М., Werner P., ""Влияние сурьмы на морфологию и свойства массива Ge/Si(100)-квантовых точек"" // ФТТ, 2005, 47(1), 58 - 62

Соболев Н.А., Денисов Д.В., Емельянов А.М., Шек Е.И., Бер Б.Я., Коварский А.П., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Устинов В.М., Цырлин Г.Э., Котерева Т.В., ""Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние условий эпитаксиального роста на концентрацию примесей и фотолюминесценцию"" // ФТТ, 2005, 47(1), 108 - 111

Воробьев Л.Е., Паневин В.Ю., Федосов Н.К., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Andreev A.A., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Крыжановская Н.В., Устинов В.М., Hanna S., Seilmeier A., Zakharov N.D., Werner P., ""Оптические явления в гетероструктурах InAs / GaAs с легированными квантовыми точками и искусственными молекулами" " // ФТТ, 2005 (39(1)), 59 - 62

Talalaev V. G., Tomm J. W., Zakharov N. D., Werner P., Novikov B. V. and Tonkikh A. A. , "“Transient spectroscopy of InAs quantum dot molecules”" // Appl.Phys.Lett., 2004 (85(2)), 284 - 286

Dubrovskii V.G., Cirlin G.E., Musikhin Yu.G., Samsonenko Yu.B., Tonkikh A.A., Polyakov N.K., Egorov V.A., Tsatsul'nikov A.F., Krizhanovskaya N.A., Ustinov V.M. and Werner P., "“Effect of growth kinetics on the structural and optical properties of quantum dot ensembles”" // Journal of Crystal Growth, 2004 (267(1-2)), 47 - 59

Наносветофор
Наносветофор

III Международная гибридная школа-конференция "Сканирующая зондовая микроскопия для биологических систем - 2021"
НТ-МДТ Спектрум Инструментс приглашает вас принять участие в III Международной гибридной школе-конференции "Сканирующая зондовая микроскопия для биологических систем -2021", BioSPM-2021

SCAMT Workshop Week - практикум по нанотехнологиям в области хим/био/IT. Санкт-Петебург, 30 января - 6 февраля
SCAMT открывает подачу заявок на 8-ую научную школу SCAMT Workshop Week, которая пройдет с 30 января по 6 февраля 2022 года. Для студентов, прошедших отбор, участие в SWW бесплатное, иногородним предоставляется проживание.

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ»: Ленточки в косую полосочку: где кончается текстурный дизайн и начинается деформационная инженерия. Борофен: От слоя к слою. Лучше один раз увидеть, чем сто раз услышать: скачки Баркгаузена в сегнетоэлектрике. Украшение из скандия для притяжения водорода. Нобелевская премия 2021.

Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2021
Коллектив авторов
Защиты выпускных квалификационных работ (квалификация – бакалавр материаловедения) по направлению 04.03.02 - «химия, физика и механика материалов» на Факультете наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова состоятся 8, 9, 10 и 11 июня 2021 г. Начало защит в 11.00. Защиты пройдут с использованием дистанционных образовательных технологий.

Академик Е.Н. Каблов: «Для освоения космоса нужны новые материалы»
Янина Хужина
В этом году весь мир отмечает 60-летие первого полета человека в космос. Успех миссии Юрия Гагарина стал возможен благодаря слаженной работе многих людей: физиков, математиков, конструкторов, инженеров-проектировщиков и, конечно, материаловедов. «Научная Россия» обсудила с академиком РАН Евгением Кабловым основные вехи в развитии космического и авиационного материаловедения.

Материалы к защитам магистерских квалификационных работ на ФНМ МГУ в 2021 году
коллектив авторов
25 - 28 мая пройдут защиты магистерских диссертаций выпускниками Факультета наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова.

Эра технопредпринимательства

В эпоху коронавируса и борьбы с ним в существенной степени меняется парадигма выполнения творческих работ и ведения бизнеса, в той или иной мере касаясь привлечения новых типов дистанционного взаимодействия, использования виртуальной реальности и элементов искусственного интеллекта, продвинутого сетевого маркетинга, использования современных информационных технологий и инновационных подходов. В этих условиях важным является, насколько само общество готово к использованию этих новых технологий и как оно их воспринимает. Данной проблеме и посвящен этот небольшой опрос, мы будет рады, если Вы уделите ему пару минут и ответите на наши вопросы.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.