Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

Научные группы: Лаборатория приборов и методов эпитаксиальных нанотехнологий

Цырлин Георгий Эрнстович
Методом МПЭ выращены массивы нанометровых нитевидных кристаллов GaAs на подложках GaAs различной кристаллографической ориентации
Организация
Ключевые слова
Область деятельности
  • Наноматериалы
  • физическая химия
Научные интересы
  • исследование физических свойств полупроводниковых сверхрешеток и квантовых точек
  • разработка приборной базы для установок молекулярно-пучковой эпитаксии
  • разработка технологии получения нанометровых нитевидных кристаллов в системе А3В5
  • разработка технологической базы для создания светоизлучающих диодных структур на кремнии
  • экспериментальные и теоретические исследования физических явлений и процессов, происходящих при молекулярно-пучковой эпитаксии напряженных гетероструктур, в системах In(Ga,Al)As/GaAs, Ge/Si, InAs/Si.
Контактная информация
Телефон +7 812 247-93-50
Факс +7 812 251-70-38
Электронная почта cirlin@beam.ioffe.ru
Индекс 190103
Адрес Санкт-Петербург,Рижский пр.,26
Страница научной группы в интернете
Научный коллектив
  • Горай Леонид Иванович, старший научный сотрудник, кандидат наук
  • Демидов Владимир Николаевич , ведущий электроник
  • Егоров Вячеслав Анатольевич , кандидат наук
  • Поляков Николай Константинович, ведущий электроник
  • Полякова Елена Александровна, инженер
  • Самсоненко Юрий Борисович , старший научный сотрудник
  • Сибирев Николай Владимирович, аспирант
  • Тонких Александр Александрович , электроник
  • Цырлин Георгий Эрнстович, зав. лабораторией, доктор наук
Описание

Лаборатория была создана в 1985 г. Основное направление деятельности на начальном этапе (до 1992 г.) – участие в разработке установок МПЭ класса ЭП. В настоящее время одна из установок класса ЭП1203 использется в лаборатории для получения уникальных структур на основе квантовых точек и квантовых проволок (нановискеры), составляющих элементную базу приборов нового поколения.


Начиная с 1992 г. разрабатываются технологии создания квантово-размерных гетероструктур, проводится детальное исследование процессов эпитаксиального роста при МПЭ и ее разновидностях, разрабатываются аппаратно-программные средства для диагностики и управления процессами роста.


Основные результаты научной деятельности:

  • Теоретически и экспериментально исследованы кинетические аспекты образования квантовых точек в системах InAs/GaAs и Ge/Si.
  • Обнаружено экспериментально и теоретически обосновано образование квантовых точек в докритической области толщин упругонапряженной эпитаксиальной пленки.
  • Разработаны детальные кинетические теории роста нанометровых нитевидных кристаллов (нановискеров) в методе молекулярно-пучковой эпитаксии по механизму пар-жидкость-кристалл и диффузионному механизму.
  • Синтезированы массивы нановискеров GaAs и AlGaAs на подложках GaAs различной ориентации. Исследованы основные особенности формирования нановискеров в зависимости от условий МПЭ роста.
  • Синтезирован новый тип полупроводниковых квантовых структур – квантовые молекулы, представляющие собой туннельно связанные пары InAs квантовых точек в матрице GaAs и детально исследованы их оптические и структурные свойства.
  • Разработана воспроизводимая технология эффективных светоизлучающих диодных структур на основе многослойных селективно легированных гетероструктур Ge/Si на подложках Si.
Научные связи
  • Max-Planck Institute of Microstructure Physics, Германия
  • Институт Физики им.В.А.Фока, Санкт-Петербург
  • Лаборатория Фотоники и Наноструктур , Франция
  • Санкт-Петербургский Государственный Технический Университет, Санкт-Петербург
  • Санкт-Петербургский Государственный Университет, Санкт-Петербург
  • Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН, Москва
  • Центр цитологии РАМН, Москва
Проекты и гранты
грант РФФИ (05-02-16495-а ) "Экспериментальные и теоретические исследования процессов формирования нитевидных кристаллов нанометрового диапазона в системе А3В5 при молекулярно-пучковой эпитаксии", 2005 – 2007

грант РФФИ (05-02-16568-а ) "Теоретические и экспериментальные исследования кинетики формирования квантовых точек в гетероэпитаксиальных системах A3B5 и A2B6", 2005 – 2007

грант РФФИ (05-02-17780-а) "Экситонная спектроскопия взаимодействующих квантовых точек и коллективные эффекты в многослойных наноструктурах", 2005 – 2007

научная программа президиума РАН "Низкоразмерные квантовые структуры"

научная программа президиума РАН "Влияние атомно- кристаллической и электронной структуры на свойства конденсированных сред"

INTAS (2001-0615 ) "Intraband and interband transitions of carriers in type I and type II nanostructures with quantum dots, quantum dot molecules and impurities"

Наиболее значимые публикации
Цырлин Г.Э., Тонких А.А., Птицин В.Э., Дубровский В.Г., Масалов С.А., Евтихиев В.П., Денисов Д.В., Устинов В.М., Werner P., ""Влияние сурьмы на морфологию и свойства массива Ge/Si(100)-квантовых точек"" // ФТТ, 2005, 47(1), 58 - 62

Соболев Н.А., Денисов Д.В., Емельянов А.М., Шек Е.И., Бер Б.Я., Коварский А.П., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Устинов В.М., Цырлин Г.Э., Котерева Т.В., ""Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние условий эпитаксиального роста на концентрацию примесей и фотолюминесценцию"" // ФТТ, 2005, 47(1), 108 - 111

Воробьев Л.Е., Паневин В.Ю., Федосов Н.К., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Andreev A.A., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Крыжановская Н.В., Устинов В.М., Hanna S., Seilmeier A., Zakharov N.D., Werner P., ""Оптические явления в гетероструктурах InAs / GaAs с легированными квантовыми точками и искусственными молекулами" " // ФТТ, 2005 (39(1)), 59 - 62

Talalaev V. G., Tomm J. W., Zakharov N. D., Werner P., Novikov B. V. and Tonkikh A. A. , "“Transient spectroscopy of InAs quantum dot molecules”" // Appl.Phys.Lett., 2004 (85(2)), 284 - 286

Dubrovskii V.G., Cirlin G.E., Musikhin Yu.G., Samsonenko Yu.B., Tonkikh A.A., Polyakov N.K., Egorov V.A., Tsatsul'nikov A.F., Krizhanovskaya N.A., Ustinov V.M. and Werner P., "“Effect of growth kinetics on the structural and optical properties of quantum dot ensembles”" // Journal of Crystal Growth, 2004 (267(1-2)), 47 - 59

К дню Святого Патрика
К дню Святого Патрика

Работы победителей и призеров конкурса "Гениальные мысли"
Предлагаем ознакомиться с авторефератами работ победителей и призеров конкурса проектных работ школьников "Гениальные мысли", проходившего в рамках XI Всероссийской Интернет-олимпиады по нанотехнологиям в 2016-2017 году.

Наука и рок-н-ролл: не пропустите битву молодых ученых Science Slam Vladivostok
Наука — это сложно и скучно? 25 ноября в клубе «Водолей» пять молодых ученых докажут обратное. В рамках Science Slam участники представят собственные разработки на сцене, где обычно выступают известные музыканты со всей страны.

VI Конгресс предприятий наноиндустрии: итоги первого 10-летия и взгляд в будущее
7 декабря в МИА «Россия сегодня» пройдет VI Конгресс предприятий наноиндустрии. В какой точке развития сейчас находится отрасль? Какие рынки наиболее перспективны в ближайшие 10 лет? Как нанотехнологии включаются в Национальную Технологическую Инициативу? Эти и многие другие вопросы будут обсуждаться на Конгрессе.

Вспомнить все (total recall). Часть 3. Методы исследований в нанотехнологиях (практика)
Коллектив авторов
В третьей части рассматриваются экспериментально - практические материалы, связанные с методами анализа продуктов нанотехнологий, в том числе стандартные аналитические, физико – химические и структурные методы анализа. Участники могут изучать отдельно данный курс или комбинировать его с двумя предыдущими.

Вспомнить все (total recall). Часть 2. Решение задач и проектная работа (образование и самоподготовка)
Коллектив авторов
Во второй части рассматриваются обзорные материалы материалы по нанотехнологическому образованию и проектной деятельности (Раздел А), текстовый и иллюстративный материал по образовательным и социальным аспектам с сфере нанотехнологий (Раздел Б), а также самый важный раздел для подготовки к Олимпиадам данной серии, содержащий сборники заданий и решений за 10 олимпиадных лет (Раздел В).

Вспомнить все (total recall). Часть 1. Наноматериалы и нанотехнологии (теоретические аспекты)
Коллектив авторов
В первой части рассматриваются теоретические материалы, сгруппированные по важнейшим темам (Раздел А), уровню сложности (Раздел Б), для свободного чтения по основным группам рубрикатора РОСНАНО (Раздел В), а также для прохождения викторин самоконтроля (Раздел Г).

Система практик ФНМ МГУ
А.Б.Тарасов, А.В.Кнотько, Е.А.Гудилин

Опыт обучения в области нанотехнологического технопредпринимательства

В этом опросе мы просим поделиться опытом и Вашим отношением к нанотехнологическому технопредпринимательству и смежным областям. Заранее спасибо за Ваше неравнодушие!

Проектная работа

Сегодня становится все более популярной так называемая проектная работа школьников, однако на этот счет есть очень разные мнения. Мы были бы признательны, если бы Вы высказали кратко свое мнение по этому поводу путем голосования. Заранее благодарны!

Закон о реформировании РАН

В Совместном заявлении Совета по науке и членов Общественного совета Минобрнауки предлагается отозвать нынешний проект закона о "реформировании" РАН из Государственной думы и вернуться к его рассмотрению с соблюдением процедуры утвержденной постановлением Правительства РФ №851 от 25.08.2012, и указом Президента РФ №601 от 07.05.2012, которая была грубо нарушена. Мы предлагаем Вам высказать (анонимно) свое мнение в данном опросе, чтобы его статистические результаты были видны всем участникам опроса и общественности.



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.