Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

Научные группы: Лаборатория приборов и методов эпитаксиальных нанотехнологий

Цырлин Георгий Эрнстович
Методом МПЭ выращены массивы нанометровых нитевидных кристаллов GaAs на подложках GaAs различной кристаллографической ориентации
Организация
Ключевые слова
Область деятельности
  • Наноматериалы
  • физическая химия
Научные интересы
  • исследование физических свойств полупроводниковых сверхрешеток и квантовых точек
  • разработка приборной базы для установок молекулярно-пучковой эпитаксии
  • разработка технологии получения нанометровых нитевидных кристаллов в системе А3В5
  • разработка технологической базы для создания светоизлучающих диодных структур на кремнии
  • экспериментальные и теоретические исследования физических явлений и процессов, происходящих при молекулярно-пучковой эпитаксии напряженных гетероструктур, в системах In(Ga,Al)As/GaAs, Ge/Si, InAs/Si.
Контактная информация
Телефон +7 812 247-93-50
Факс +7 812 251-70-38
Электронная почта cirlin@beam.ioffe.ru
Индекс 190103
Адрес Санкт-Петербург,Рижский пр.,26
Страница научной группы в интернете
Научный коллектив
  • Горай Леонид Иванович, старший научный сотрудник, кандидат наук
  • Демидов Владимир Николаевич , ведущий электроник
  • Егоров Вячеслав Анатольевич , кандидат наук
  • Поляков Николай Константинович, ведущий электроник
  • Полякова Елена Александровна, инженер
  • Самсоненко Юрий Борисович , старший научный сотрудник
  • Сибирев Николай Владимирович, аспирант
  • Тонких Александр Александрович , электроник
  • Цырлин Георгий Эрнстович, зав. лабораторией, доктор наук
Описание

Лаборатория была создана в 1985 г. Основное направление деятельности на начальном этапе (до 1992 г.) – участие в разработке установок МПЭ класса ЭП. В настоящее время одна из установок класса ЭП1203 использется в лаборатории для получения уникальных структур на основе квантовых точек и квантовых проволок (нановискеры), составляющих элементную базу приборов нового поколения.


Начиная с 1992 г. разрабатываются технологии создания квантово-размерных гетероструктур, проводится детальное исследование процессов эпитаксиального роста при МПЭ и ее разновидностях, разрабатываются аппаратно-программные средства для диагностики и управления процессами роста.


Основные результаты научной деятельности:

  • Теоретически и экспериментально исследованы кинетические аспекты образования квантовых точек в системах InAs/GaAs и Ge/Si.
  • Обнаружено экспериментально и теоретически обосновано образование квантовых точек в докритической области толщин упругонапряженной эпитаксиальной пленки.
  • Разработаны детальные кинетические теории роста нанометровых нитевидных кристаллов (нановискеров) в методе молекулярно-пучковой эпитаксии по механизму пар-жидкость-кристалл и диффузионному механизму.
  • Синтезированы массивы нановискеров GaAs и AlGaAs на подложках GaAs различной ориентации. Исследованы основные особенности формирования нановискеров в зависимости от условий МПЭ роста.
  • Синтезирован новый тип полупроводниковых квантовых структур – квантовые молекулы, представляющие собой туннельно связанные пары InAs квантовых точек в матрице GaAs и детально исследованы их оптические и структурные свойства.
  • Разработана воспроизводимая технология эффективных светоизлучающих диодных структур на основе многослойных селективно легированных гетероструктур Ge/Si на подложках Si.
Научные связи
  • Max-Planck Institute of Microstructure Physics, Германия
  • Институт Физики им.В.А.Фока, Санкт-Петербург
  • Лаборатория Фотоники и Наноструктур , Франция
  • Санкт-Петербургский Государственный Технический Университет, Санкт-Петербург
  • Санкт-Петербургский Государственный Университет, Санкт-Петербург
  • Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН, Москва
  • Центр цитологии РАМН, Москва
Проекты и гранты
грант РФФИ (05-02-16495-а ) "Экспериментальные и теоретические исследования процессов формирования нитевидных кристаллов нанометрового диапазона в системе А3В5 при молекулярно-пучковой эпитаксии", 2005 – 2007

грант РФФИ (05-02-16568-а ) "Теоретические и экспериментальные исследования кинетики формирования квантовых точек в гетероэпитаксиальных системах A3B5 и A2B6", 2005 – 2007

грант РФФИ (05-02-17780-а) "Экситонная спектроскопия взаимодействующих квантовых точек и коллективные эффекты в многослойных наноструктурах", 2005 – 2007

научная программа президиума РАН "Низкоразмерные квантовые структуры"

научная программа президиума РАН "Влияние атомно- кристаллической и электронной структуры на свойства конденсированных сред"

INTAS (2001-0615 ) "Intraband and interband transitions of carriers in type I and type II nanostructures with quantum dots, quantum dot molecules and impurities"

Наиболее значимые публикации
Цырлин Г.Э., Тонких А.А., Птицин В.Э., Дубровский В.Г., Масалов С.А., Евтихиев В.П., Денисов Д.В., Устинов В.М., Werner P., ""Влияние сурьмы на морфологию и свойства массива Ge/Si(100)-квантовых точек"" // ФТТ, 2005, 47(1), 58 - 62

Соболев Н.А., Денисов Д.В., Емельянов А.М., Шек Е.И., Бер Б.Я., Коварский А.П., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Устинов В.М., Цырлин Г.Э., Котерева Т.В., ""Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние условий эпитаксиального роста на концентрацию примесей и фотолюминесценцию"" // ФТТ, 2005, 47(1), 108 - 111

Воробьев Л.Е., Паневин В.Ю., Федосов Н.К., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Andreev A.A., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Крыжановская Н.В., Устинов В.М., Hanna S., Seilmeier A., Zakharov N.D., Werner P., ""Оптические явления в гетероструктурах InAs / GaAs с легированными квантовыми точками и искусственными молекулами" " // ФТТ, 2005 (39(1)), 59 - 62

Talalaev V. G., Tomm J. W., Zakharov N. D., Werner P., Novikov B. V. and Tonkikh A. A. , "“Transient spectroscopy of InAs quantum dot molecules”" // Appl.Phys.Lett., 2004 (85(2)), 284 - 286

Dubrovskii V.G., Cirlin G.E., Musikhin Yu.G., Samsonenko Yu.B., Tonkikh A.A., Polyakov N.K., Egorov V.A., Tsatsul'nikov A.F., Krizhanovskaya N.A., Ustinov V.M. and Werner P., "“Effect of growth kinetics on the structural and optical properties of quantum dot ensembles”" // Journal of Crystal Growth, 2004 (267(1-2)), 47 - 59

АСМ изображение эритроцитов мыши на стекле
АСМ изображение эритроцитов мыши на стекле

XVI Российская ежегодная конференция молодых научных сотрудников и аспирантов "Физико-химия и технология неорганических материалов"
С 1 по 4 октября 2019 года в г. Москве в Институте металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук состоится ежегодная конференция молодых научных сотрудников и аспирантов "Физико-химия и технология неорганических материалов".

Студенты кафедры РЛ-2 МГТУ им. Баумана в гостях у НТ-МДТ Спектрум Инструментс
Видеоотчет об экскурсии студентов МГТУ им. Баумана в НТ-МДТ Спектрум Инструментс

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ»: Новые наноматериалы для восстановления костей. Непростые отношения графена и воды. Борнитридные наноленты с реконструированными краями. Термоэлектричество и азафуллерены. Борщ и блины как материалы в экстремальных условиях.

Новые гибридные перовскитоподобные материалы для солнечной энергетики
Тарасов Алексей Борисович, Постнаука
Как сохранить энергию солнца или ветра? Как может измениться стационарная энергетика в будущем? В проекте «Мир вещей. Из чего сделано будущее» совместно с Фондом инфраструктурных и образовательных программ (группа РОСНАНО) Постнаука рассказывает о последних открытиях и перспективных достижениях науки о материалах.

Материалы к защитам квалификационных работ бакалавров на ФНМ МГУ в 2019 году
Коллектив авторов
4-7 июня 2019 г. (11-00) в аудитории 221 корпуса Б пройдут защиты ВКР бакалавров ФНМ МГУ.

Материалы к защитам магистерских квалификационных работ на ФНМ МГУ в 2019 году
Семенова Анна Александровна
21-24 мая 2019 года в лабораторном корпусе Б пройдут защиты магистерских диссертаций выпускниками ФНМ МГУ.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!

Опыт обучения в области нанотехнологического технопредпринимательства

В этом опросе мы просим поделиться опытом и Вашим отношением к нанотехнологическому технопредпринимательству и смежным областям. Заранее спасибо за Ваше неравнодушие!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.