Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

Научные группы: Отдел технологии наноструктур и приборов

Организация
Ключевые слова
Область деятельности
  • микроэлктроника
  • наноэлектроника
  • оптоэлектроника
  • физическая электроника
Научные интересы
  • детальное комплексное исследование полупроводниковых гетероструктур и изготовление тестовых структур.
  • поиск и исследование новых физических явлений в полупроводниковых гетероструктурах и высокотемпературных сверхпроводниках
  • эпитаксиия полупроводниковых гетероструктур на основе In, Ga, Al - As, N и ВТСП YBaCuO
Контактная информация
Телефон +7 8312 38-55-36
Факс +7 83128 38-55-53
Электронная почта sha@ipm.sci-nnov.ru
Индекс 603950
Адрес ГСП-105, Нижний Новгород, Россия
Страница научной группы в интернете
Научный коллектив
  • БАЛЫКОВ Лев Николаевич, научный сотрудник, кандидат наук
  • БЕЛЯЕВ Александр Валентинович, научный сотрудник, кандидат наук
  • БУЗЫНИН Юрий Николаевич, старший научный сотрудник, кандидат наук
  • ВОПИЛКИН Евгений Александрович, инженер
  • ВОСТОКОВ Николай Владимирович, младший научный сотрудник
  • ДАНИЛЬЦЕВ Вячеслав Михайлович, научный сотрудник
  • ДРОЗДОВ Михаил Николаевич, старший научный сотрудник, кандидат наук
  • ДРОЗДОВ Юрий Николаевич, старший научный сотрудник, кандидат наук
  • ДРЯХЛУШИН Владимир Филиппович, старший научный сотрудник, кандидат наук
  • КЛИМЕНКО Людмила Васильевна, инженер-технолог
  • КЛИМОВ Александр Юрьевич, ведущий инженер
  • МАСЛЯКОВА Нина Гаврииловна, техник
  • МОЛДАВСКАЯ Любовь Давидовна, младший научный сотрудник
  • МУРЕЛЬ Аркадий Викторович, старший научный сотрудник
  • ПАВЛОВ Сергей Алексеевич, старший научный сотрудник
  • ПАРАФИН Алексей Евгеньевич, научный сотрудник
  • ПАХОМОВ Георгий Львович, научный сотрудник
  • РОГОВ Владимир Всеволодович, ведущий инженер-технолог
  • ХРЫКИН Олег Игоревич, научный сотрудник
  • ШАШКИН Владимир Иванович, зав.лабораторией, старший научный сотрудник, кандидат наук
  • ШУЛЕШОВА Ирина Юрьевна, ведущий инженер
Описание
В отделе проводятся поиск и исследование новых физических явлений в полупроводниковых гетероструктурах и высокотемпературных сверхпроводниках в интересах микро- и оптоэлектроники. Основные направления включают эпитаксиию полупроводниковых гетероструктур на основе In, Ga, Al - As, N и ВТСП YBaCuO; детальное комплексное исследование их свойств и изготовление тестовых структур.

Проекты отдела

- Эпитаксия
  • Разработка технологии новых полупроводниковых гетероструктур (Квантовые точки InGaAs/GaAs, пористые подложки GaAs, структуры InGaAsN/GaAs)
  • Изготовление гетероструктур и сверхрешеток на основе InGaAlAs, d-легирование, осаждение Al
- Диагностика и исследование гетероструктур
Развитие методик:
  • рентгенодифракционных исследований гетероструктур
  • послойного оже-анализа субнанометрового разрешения
  • сканирующей зондовой микроскопии и нанолитографии
- Транспортные исследования гетероструктур методами токовой, емкостной, фотоэлектрической и туннельной спектроскопии

- Разработка новых технологий и приборов
  • Микроволновые смесительные и детекторные диоды
  • Фотоприемники ИК диапизонов
  • Туннельные датчики ускорений/ вибраций
  • Пассивные частотноизбирательные схемы на основе ВТСП
  • Микростриповые структуры для детектора нейтронов

Оборудование

Эпитаксия полупроводниковых гетероструктур на основе In, Ga, Al-As, N
  • МОГФЭ
  • МЛЭ
Диагностика и исследование гетероструктур
  • рентгеноструктурный анализ
  • аналитические (ОЖЭ, ВИМС)
  • зондовая микроскопия (СТМ, АСМ)
  • электрофизические исследования микроструктур (I-V, C-V, ECP, Холл, НСГУ)
  • фотоэлектрические исследования
Микро- и наноэлектроника
  • напыление (металлы, диэлектрики, сверхпроводники)
  • литография (фото-,электронная, зондовая)
  • травление (жидкофазное, ионное, плазмохимическое)
  • микроволновые приборы на основе полупроводников и сверхпроводников.
Наиболее значимые публикации
V.M. Daniltsev, M.N. Drozdov, Yu.N. Drozdov, D.M. Gaponova, O.I. Khrykin, A.V. Murel, V.I. Shashkin, N.V. Vostokov., "InGaAsN/GaAs QD and QW structures grown by MOVPE. " // Journal of Crystal Growth, 2003, 248, 343 - 347

G. L. Pakhomov, N. V. Vostokov, V. M. Daniltsev, V. I. Shashkin, "AFM Study of Etched Cleavages of AlxGa1-xAs/GaAs Heterostructures" // Phys. Low-Dim. Struct., 2002, 5 (6), 247 - 253

В.И. Гавриленко, Ю.Н. Дроздов, О.А.Кузнецов, Н.В. Лазарева, Л.Д.Молдавская, М.Д. Молдавкая, А.В. Новиков, Д.О.Филатов., ""Исследование морфологии поверхности слоев Ge GeSi, выращенных методом газофазной эпитаксии на подложках Ge (111)."" // Поверхность, 2001 (2), 102 - 104

Ю.Н.Дроздов, Л.Д.Молдавская, В.М.Данильцев, О.И.Хрыкин, А.В.Новиков, В.В.Постников., ""Рентгенооптическая схема для дифракционного исследования п/п квантовых слоев и точек"" // Поверхность, РСНИ, 2000 (1), 136 - 139

В.Ф. Дряхлушин, Н.В. Востоков, А.Ю. Климов, В.В. Рогов, В.И. Шашкин., ""Разработка методов сканирующей зондовой литографии для создания нанометровых элементов"" // Микросистемная техника, 2000 (3), 11 - 15

Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Г. Ревин, А.Б. Толстогузов, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин., ""Структурные и оптические свойства слоёв GaNxAs1-x, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии"" // Изв. РАН, Серия физическая, 2000, 64 (2), 358 - 361

Н.В. Востоков, В.М. Данильцев Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин, ""Формирование и заращивание квантовых точек InAs в процессе металлоорганической газофазной эпитаксии"" // Поверхность, 2000 (7), 17 - 21

Yu. Buzynin, V. Daniltsev, Yu. Drozdov, O. Khrykin, A. Murel, A. Buzynin, V. Osiko, E. Lomonova, Yu. Voronko. , "Epitaxial Films of III-V Compound on Fianite Substrate. " // Proc. of Inter. Congress "MW-2000", 2000 (672)

Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, А.Ю. Лукьянов, Д.Г. Ревин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин., ""Применение метода Брюстеровской рефлектометрии для анализа процессов на ростовой поверхности InGaAs в условиях MOCVD"" // Изв. РАН, Серия физическая, 2000, 64 (2), 370 - 373

Н.В.Востоков, С.А.Гусев, И.В.Долгов, Ю.Н.Дроздов, З.Ф.Красильник, Д.Н.Лобанов, Л.Д.Молдавская, А.В.Новиков, В.В.Постников, Д.О.Филатов, "“Упругие напряжения и состав самоорганизующихся наноостровков GeSi на Si (001)”" // ФТП, 2000, 34 (1), 8 - 12

Ю.Н. Бузынин, С.А. Гусев, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин., ""Монокристаллические слои GaAs, AlGaAs и InGaAs, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках пористого арсенида галлия"" // Письма в ЖТФ, 2000, 26 (7), 64 - 69

V.A. Kurnaev, N.N. Trifonov, M.N. Drozdov, N.N. Salashchenko., ""On the possibility of the in situ growth control and nondestructive depth profiling of ultrathin multilayer structures using keV hydrogen ions"" // Vacuum, 2000, 56 (4), 253 - 255

V. F. Dryakhlushin, A Yu. Klimov, V.V. Rogov, V.I. Shashkin, L.V. Sukhodoev, D.G. Volgunov, N.V. Vostokov., ""Development of contact scanning probe lithography methods for fabrication of lateral nano-dimensional elements" " // Nanotechnology, 2000, 11 (3), 1 - 4

V.I. Shashkin, I.R. Karetnikova, A. Murel, I. Nefedov, I.A. Shereshevskii., ""Approach to Electrochemical C-V Profiling in Semiconductor with Sub-Debye-Length Resolution"." // IEEE Transactions on Electron Devices, 2000, 47 (6), 1221 - 1224

Z.F.Krasil'nik, I.V.Dolgov, Yu.N.Drozdov, D.O.Filatov, S.A.Gusev, D.N.Lobanov, L.D.Moldavskaya, A.V.Novikov, V.V.Postnikov, N.V.Vostokov, ""The elastic strain and composition of self - assembled GeSi island on Si(100)"" // Thin Solid Films, 2000, 367, 171 - 175

N.V.Vostokov, I.V.Dolgov, Yu.N.Drozdov, Z.F.Krasil'nik, D.N.Lobanov, L.D.Moldavskaya, A.V.Novikov, V.V.Postnikov, D.O.Filatov, ""Transition from "dome" to "pyramid" shape of self - assembled GeSi island"" // J. of Crystal Growth, 2000, 209, 302 - 305

G.M. Minkov, S.A. Negashev, O.E. Rut, A.V. Germanenko, O.I. Khrykin, V.I. Shashkin, V.M. Daniltsev., ""Analysis of negative magnetoresistance: Statistics of closed paths. II. Experiment"" // Phys. Rev, 2000, 61 (9), 13172 - 13176

Е.А. Вопилкин, А.Е. Парафин, А.Н. Резник, ""Интермодуляция в резонаторах сверхвысокой частоты на основе высокотемпературных сверхпроводников"" // ЖТФ, 2000, 70 (2), 74 - 80

Е.А. Вопилкин, С.А. Павлов, А.Н. Панин, А.Е. Парафин., ""Измерение интермодуляции в пленках YBaCuO"" // Письма в ЖТФ, 2000, 26 (8), 83 - 87

Ю.Н.Бузынин, С.А.Гусев, Ю.Н.Дроздов, А.В.Мурель., ""Пористый арсенид галлия с кластерами мышьяка"" // ЖТФ, 2000, 70 (5), 128 - 129

Нанораскраска
Нанораскраска

Конкурс логотипа ФНМ МГУ
Факультет наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова объявляет творческий конкурс логотипа (эмблемы) ФНМ, работы принимаются с 21 августа до 15 сентября 2019 года. Участники - все, кто имеет или когда бы то ни было имел отношение к ФНМ МГУ: студенты, аспиранты, преподаватели, сотрудники, выпускники, а также все творческие люди из большой университетской семьи.

Продолжается прием статей в 11-й выпуск Межвузовского сборника научных трудов «Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов»
Продолжается прием статей в 11-й выпуск Межвузовского сборника научных трудов «Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов»

Участие НТ-МДТ Cпектрум Инструментс в конференции “ГРАФЕН: МОЛЕКУЛА И 2D КРИСТАЛЛ”
Участие НТ-МДТ Cпектрум Инструментс в конференции “ГРАФЕН: МОЛЕКУЛА И 2D КРИСТАЛЛ” 5-9 августа 2019 года в Новосибирске

3D нанотехнологии в физике, химии, биологии, медицине и инженерном искусстве
И.В.Яминский
Материалы лекции проф. МГУ, д.ф.-м.н., генерального директора Центра Перспективных технологий И.В.Яминского "3D нанотехнологии в физике, химии, биологии, медицине и инженерном искусстве". 3D принтер, сканирующий зондовый микроскоп и фрезерный станок. Что общего между ними? Как конструировать их своими руками? Небольшой экскурс в практические нанотехнологии. Поучительная история о создании сканирующего туннельного микроскопа. От идеи до нобелевской премии за 5 лет. Взгляд в микромир – от атомов и молекул до живых клеток. Как взвесить массу одного атома? Вирусы и бактерии – наши друзья или враги? Медицинские приложения нанотехнологий – нанобиосенсоры для обнаружения биологических агентов.

Материалы и пленочные структуры спинтроники и стрейнтроники
В.А.Кецко
Девятый Наноград, проходивший в Ханты - Мансийске, собрал талантливых школьников, интересных лекторов и преподавателей в области наноматериалов, нанотехнологий и технопредпринимательства. В сообщении даны материалы лекции д.х.н., в.н.с. ИОНХ РАН В.А.Кецко "Материалы и пленочные структуры спинтроники и стрейнтроники".

Лекции и семинары от ФНМ МГУ на Нанограде
Е.А.Гудилин
Девятый Наноград, проходивший в Ханты - Мансийске, собрал талантливых школьников, интересных лекторов и преподавателей в области наноматериалов, нанотехнологий и технопредпринимательства. Ниже даны материалы лекций и семинаров представителя ФНМ МГУ проф., д.х.н. Е.А.Гудилина.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!

Опыт обучения в области нанотехнологического технопредпринимательства

В этом опросе мы просим поделиться опытом и Вашим отношением к нанотехнологическому технопредпринимательству и смежным областям. Заранее спасибо за Ваше неравнодушие!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.