БАЛЫКОВ Лев Николаевич, научный сотрудник, кандидат наук
БЕЛЯЕВ Александр Валентинович, научный сотрудник, кандидат наук
БУЗЫНИН Юрий Николаевич, старший научный сотрудник, кандидат наук
ВОПИЛКИН Евгений Александрович, инженер
ВОСТОКОВ Николай Владимирович, младший научный сотрудник
ДАНИЛЬЦЕВ Вячеслав Михайлович, научный сотрудник
ДРОЗДОВ Михаил Николаевич, старший научный сотрудник, кандидат наук
ДРОЗДОВ Юрий Николаевич, старший научный сотрудник, кандидат наук
ДРЯХЛУШИН Владимир Филиппович, старший научный сотрудник, кандидат наук
КЛИМЕНКО Людмила Васильевна, инженер-технолог
КЛИМОВ Александр Юрьевич, ведущий инженер
МАСЛЯКОВА Нина Гаврииловна, техник
МОЛДАВСКАЯ Любовь Давидовна, младший научный сотрудник
МУРЕЛЬ Аркадий Викторович, старший научный сотрудник
ПАВЛОВ Сергей Алексеевич, старший научный сотрудник
ПАРАФИН Алексей Евгеньевич, научный сотрудник
ПАХОМОВ Георгий Львович, научный сотрудник
РОГОВ Владимир Всеволодович, ведущий инженер-технолог
ХРЫКИН Олег Игоревич, научный сотрудник
ШАШКИН Владимир Иванович, зав.лабораторией, старший научный сотрудник, кандидат наук
ШУЛЕШОВА Ирина Юрьевна, ведущий инженер
Описание
В отделе проводятся поиск и исследование новых физических явлений в полупроводниковых гетероструктурах и высокотемпературных сверхпроводниках в интересах микро- и оптоэлектроники. Основные направления включают эпитаксиию полупроводниковых гетероструктур на основе In, Ga, Al - As, N и ВТСП YBaCuO; детальное комплексное исследование их свойств и изготовление тестовых структур.
Проекты отдела
- Эпитаксия
Разработка технологии новых полупроводниковых гетероструктур (Квантовые точки InGaAs/GaAs, пористые подложки GaAs, структуры InGaAsN/GaAs)
Изготовление гетероструктур и сверхрешеток на основе InGaAlAs, d-легирование, осаждение Al
- Диагностика и исследование гетероструктур Развитие методик:
рентгенодифракционных исследований гетероструктур
послойного оже-анализа субнанометрового разрешения
сканирующей зондовой микроскопии и нанолитографии
- Транспортные исследования гетероструктур методами токовой, емкостной, фотоэлектрической и туннельной спектроскопии
- Разработка новых технологий и приборов
Микроволновые смесительные и детекторные диоды
Фотоприемники ИК диапизонов
Туннельные датчики ускорений/ вибраций
Пассивные частотноизбирательные схемы на основе ВТСП
Микростриповые структуры для детектора нейтронов
Оборудование
Эпитаксия полупроводниковых гетероструктур на основе In, Ga, Al-As, N
МОГФЭ
МЛЭ
Диагностика и исследование гетероструктур
рентгеноструктурный анализ
аналитические (ОЖЭ, ВИМС)
зондовая микроскопия (СТМ, АСМ)
электрофизические исследования микроструктур (I-V, C-V, ECP, Холл, НСГУ)
фотоэлектрические исследования
Микро- и наноэлектроника
напыление (металлы, диэлектрики, сверхпроводники)
литография (фото-,электронная, зондовая)
травление (жидкофазное, ионное, плазмохимическое)
микроволновые приборы на основе полупроводников и сверхпроводников.
G. L. Pakhomov, N. V. Vostokov, V. M. Daniltsev, V. I. Shashkin, "AFM Study of Etched Cleavages of AlxGa1-xAs/GaAs Heterostructures" // Phys. Low-Dim. Struct., 2002, 5 (6), 247 - 253
В.И. Гавриленко, Ю.Н. Дроздов, О.А.Кузнецов, Н.В. Лазарева, Л.Д.Молдавская, М.Д. Молдавкая, А.В. Новиков, Д.О.Филатов., ""Исследование морфологии поверхности слоев Ge GeSi, выращенных методом газофазной эпитаксии на подложках Ge (111)."" // Поверхность, 2001 (2), 102 - 104
Ю.Н.Дроздов, Л.Д.Молдавская, В.М.Данильцев, О.И.Хрыкин, А.В.Новиков, В.В.Постников., ""Рентгенооптическая схема для дифракционного исследования п/п квантовых слоев и точек"" // Поверхность, РСНИ, 2000 (1), 136 - 139
В.Ф. Дряхлушин, Н.В. Востоков, А.Ю. Климов, В.В. Рогов, В.И. Шашкин., ""Разработка методов сканирующей зондовой литографии для создания нанометровых элементов"" // Микросистемная техника, 2000 (3), 11 - 15
Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Г. Ревин, А.Б. Толстогузов, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин., ""Структурные и оптические свойства слоёв GaNxAs1-x, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии"" // Изв. РАН, Серия физическая, 2000, 64 (2), 358 - 361
Н.В. Востоков, В.М. Данильцев Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин, ""Формирование и заращивание квантовых точек InAs в процессе металлоорганической газофазной эпитаксии"" // Поверхность, 2000 (7), 17 - 21
Yu. Buzynin, V. Daniltsev, Yu. Drozdov, O. Khrykin, A. Murel, A. Buzynin, V. Osiko, E. Lomonova, Yu. Voronko. , "Epitaxial Films of III-V Compound on Fianite Substrate. " // Proc. of Inter. Congress "MW-2000", 2000 (672)
Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, А.Ю. Лукьянов, Д.Г. Ревин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин., ""Применение метода Брюстеровской рефлектометрии для анализа процессов на ростовой поверхности InGaAs в условиях MOCVD"" // Изв. РАН, Серия физическая, 2000, 64 (2), 370 - 373
Н.В.Востоков, С.А.Гусев, И.В.Долгов, Ю.Н.Дроздов, З.Ф.Красильник, Д.Н.Лобанов, Л.Д.Молдавская, А.В.Новиков, В.В.Постников, Д.О.Филатов, "“Упругие напряжения и состав самоорганизующихся наноостровков GeSi на Si (001)”" // ФТП, 2000, 34 (1), 8 - 12
Ю.Н. Бузынин, С.А. Гусев, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин., ""Монокристаллические слои GaAs, AlGaAs и InGaAs, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках пористого арсенида галлия"" // Письма в ЖТФ, 2000, 26 (7), 64 - 69
V.A. Kurnaev, N.N. Trifonov, M.N. Drozdov, N.N. Salashchenko., ""On the possibility of the in situ growth control and nondestructive depth profiling of ultrathin multilayer structures using keV hydrogen ions"" // Vacuum, 2000, 56 (4), 253 - 255
V. F. Dryakhlushin, A Yu. Klimov, V.V. Rogov, V.I. Shashkin, L.V. Sukhodoev, D.G. Volgunov, N.V. Vostokov., ""Development of contact scanning probe lithography methods for fabrication of lateral nano-dimensional elements" " // Nanotechnology, 2000, 11 (3), 1 - 4
V.I. Shashkin, I.R. Karetnikova, A. Murel, I. Nefedov, I.A. Shereshevskii., ""Approach to Electrochemical C-V Profiling in Semiconductor with Sub-Debye-Length Resolution"." // IEEE Transactions on Electron Devices, 2000, 47 (6), 1221 - 1224
Z.F.Krasil'nik, I.V.Dolgov, Yu.N.Drozdov, D.O.Filatov, S.A.Gusev, D.N.Lobanov, L.D.Moldavskaya, A.V.Novikov, V.V.Postnikov, N.V.Vostokov, ""The elastic strain and composition of self - assembled GeSi island on Si(100)"" // Thin Solid Films, 2000, 367, 171 - 175
N.V.Vostokov, I.V.Dolgov, Yu.N.Drozdov, Z.F.Krasil'nik, D.N.Lobanov, L.D.Moldavskaya, A.V.Novikov, V.V.Postnikov, D.O.Filatov, ""Transition from "dome" to "pyramid" shape of self - assembled GeSi island"" // J. of Crystal Growth, 2000, 209, 302 - 305
4Д Катализ: Роль одноатомных каталитических центров в синтетических процессах Исследование ученых ИОХ РАН показало, что в катализаторах, используемых в тонком органическом синтезе, ключевую роль играют не наночастицы, как думали ранее, а еще более маленькие каталитические центры – отдельные атомы металла. Для этого авторам пришлось задействовать три типа электронной микроскопии, масс-спектрометрию ультравысокого разрешения, а также методы машинного обучения для отслеживания одних и тех же участков катализатора до и после реакции с атомарным разрешением (doi: 10.1021/jacs.3c00645).
Перст-дайджест В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ»: Фуллерены и нанотрубки в космосе. Теплопроводность кремниевых полипризманов. Особенности резонансного туннелирования в наноструктурах со спейсерами. Связанные маятники на магнитный лад. Не просто доплеровское уширение:
новый эффект, связанный с движением молекул в газе.
Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022
Коллектив авторов Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022 содержат следующую информацию:
• Подготовка бакалавров на факультете наук о материалах МГУ
• Состав Государственной Экзаменационной Комиссии
• Расписание защит выпускных квалификационных работ бакалавров
• Аннотации квалификационных работ бакалавров
В эпоху коронавируса и борьбы с ним в существенной степени меняется парадигма выполнения творческих работ и ведения бизнеса, в той или иной мере касаясь привлечения новых типов дистанционного взаимодействия, использования виртуальной реальности и элементов искусственного интеллекта, продвинутого сетевого маркетинга, использования современных информационных технологий и инновационных подходов. В этих условиях важным является, насколько само общество готово к использованию этих новых технологий и как оно их воспринимает. Данной проблеме и посвящен этот небольшой опрос, мы будет рады, если Вы уделите ему пару минут и ответите на наши вопросы.
Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.
Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся
в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.
