Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

Научные группы: Отдел технологии наноструктур и приборов

Организация
Ключевые слова
Область деятельности
  • микроэлктроника
  • наноэлектроника
  • оптоэлектроника
  • физическая электроника
Научные интересы
  • детальное комплексное исследование полупроводниковых гетероструктур и изготовление тестовых структур.
  • поиск и исследование новых физических явлений в полупроводниковых гетероструктурах и высокотемпературных сверхпроводниках
  • эпитаксиия полупроводниковых гетероструктур на основе In, Ga, Al - As, N и ВТСП YBaCuO
Контактная информация
Телефон +7 8312 38-55-36
Факс +7 83128 38-55-53
Электронная почта sha@ipm.sci-nnov.ru
Индекс 603950
Адрес ГСП-105, Нижний Новгород, Россия
Страница научной группы в интернете
Научный коллектив
  • БАЛЫКОВ Лев Николаевич, научный сотрудник, кандидат наук
  • БЕЛЯЕВ Александр Валентинович, научный сотрудник, кандидат наук
  • БУЗЫНИН Юрий Николаевич, старший научный сотрудник, кандидат наук
  • ВОПИЛКИН Евгений Александрович, инженер
  • ВОСТОКОВ Николай Владимирович, младший научный сотрудник
  • ДАНИЛЬЦЕВ Вячеслав Михайлович, научный сотрудник
  • ДРОЗДОВ Михаил Николаевич, старший научный сотрудник, кандидат наук
  • ДРОЗДОВ Юрий Николаевич, старший научный сотрудник, кандидат наук
  • ДРЯХЛУШИН Владимир Филиппович, старший научный сотрудник, кандидат наук
  • КЛИМЕНКО Людмила Васильевна, инженер-технолог
  • КЛИМОВ Александр Юрьевич, ведущий инженер
  • МАСЛЯКОВА Нина Гаврииловна, техник
  • МОЛДАВСКАЯ Любовь Давидовна, младший научный сотрудник
  • МУРЕЛЬ Аркадий Викторович, старший научный сотрудник
  • ПАВЛОВ Сергей Алексеевич, старший научный сотрудник
  • ПАРАФИН Алексей Евгеньевич, научный сотрудник
  • ПАХОМОВ Георгий Львович, научный сотрудник
  • РОГОВ Владимир Всеволодович, ведущий инженер-технолог
  • ХРЫКИН Олег Игоревич, научный сотрудник
  • ШАШКИН Владимир Иванович, зав.лабораторией, старший научный сотрудник, кандидат наук
  • ШУЛЕШОВА Ирина Юрьевна, ведущий инженер
Описание
В отделе проводятся поиск и исследование новых физических явлений в полупроводниковых гетероструктурах и высокотемпературных сверхпроводниках в интересах микро- и оптоэлектроники. Основные направления включают эпитаксиию полупроводниковых гетероструктур на основе In, Ga, Al - As, N и ВТСП YBaCuO; детальное комплексное исследование их свойств и изготовление тестовых структур.

Проекты отдела

- Эпитаксия
  • Разработка технологии новых полупроводниковых гетероструктур (Квантовые точки InGaAs/GaAs, пористые подложки GaAs, структуры InGaAsN/GaAs)
  • Изготовление гетероструктур и сверхрешеток на основе InGaAlAs, d-легирование, осаждение Al
- Диагностика и исследование гетероструктур
Развитие методик:
  • рентгенодифракционных исследований гетероструктур
  • послойного оже-анализа субнанометрового разрешения
  • сканирующей зондовой микроскопии и нанолитографии
- Транспортные исследования гетероструктур методами токовой, емкостной, фотоэлектрической и туннельной спектроскопии

- Разработка новых технологий и приборов
  • Микроволновые смесительные и детекторные диоды
  • Фотоприемники ИК диапизонов
  • Туннельные датчики ускорений/ вибраций
  • Пассивные частотноизбирательные схемы на основе ВТСП
  • Микростриповые структуры для детектора нейтронов

Оборудование

Эпитаксия полупроводниковых гетероструктур на основе In, Ga, Al-As, N
  • МОГФЭ
  • МЛЭ
Диагностика и исследование гетероструктур
  • рентгеноструктурный анализ
  • аналитические (ОЖЭ, ВИМС)
  • зондовая микроскопия (СТМ, АСМ)
  • электрофизические исследования микроструктур (I-V, C-V, ECP, Холл, НСГУ)
  • фотоэлектрические исследования
Микро- и наноэлектроника
  • напыление (металлы, диэлектрики, сверхпроводники)
  • литография (фото-,электронная, зондовая)
  • травление (жидкофазное, ионное, плазмохимическое)
  • микроволновые приборы на основе полупроводников и сверхпроводников.
Наиболее значимые публикации
V.M. Daniltsev, M.N. Drozdov, Yu.N. Drozdov, D.M. Gaponova, O.I. Khrykin, A.V. Murel, V.I. Shashkin, N.V. Vostokov., "InGaAsN/GaAs QD and QW structures grown by MOVPE. " // Journal of Crystal Growth, 2003, 248, 343 - 347

G. L. Pakhomov, N. V. Vostokov, V. M. Daniltsev, V. I. Shashkin, "AFM Study of Etched Cleavages of AlxGa1-xAs/GaAs Heterostructures" // Phys. Low-Dim. Struct., 2002, 5 (6), 247 - 253

В.И. Гавриленко, Ю.Н. Дроздов, О.А.Кузнецов, Н.В. Лазарева, Л.Д.Молдавская, М.Д. Молдавкая, А.В. Новиков, Д.О.Филатов., ""Исследование морфологии поверхности слоев Ge GeSi, выращенных методом газофазной эпитаксии на подложках Ge (111)."" // Поверхность, 2001 (2), 102 - 104

Ю.Н.Дроздов, Л.Д.Молдавская, В.М.Данильцев, О.И.Хрыкин, А.В.Новиков, В.В.Постников., ""Рентгенооптическая схема для дифракционного исследования п/п квантовых слоев и точек"" // Поверхность, РСНИ, 2000 (1), 136 - 139

В.Ф. Дряхлушин, Н.В. Востоков, А.Ю. Климов, В.В. Рогов, В.И. Шашкин., ""Разработка методов сканирующей зондовой литографии для создания нанометровых элементов"" // Микросистемная техника, 2000 (3), 11 - 15

Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Г. Ревин, А.Б. Толстогузов, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин., ""Структурные и оптические свойства слоёв GaNxAs1-x, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии"" // Изв. РАН, Серия физическая, 2000, 64 (2), 358 - 361

Н.В. Востоков, В.М. Данильцев Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин, ""Формирование и заращивание квантовых точек InAs в процессе металлоорганической газофазной эпитаксии"" // Поверхность, 2000 (7), 17 - 21

Yu. Buzynin, V. Daniltsev, Yu. Drozdov, O. Khrykin, A. Murel, A. Buzynin, V. Osiko, E. Lomonova, Yu. Voronko. , "Epitaxial Films of III-V Compound on Fianite Substrate. " // Proc. of Inter. Congress "MW-2000", 2000 (672)

Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, А.Ю. Лукьянов, Д.Г. Ревин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин., ""Применение метода Брюстеровской рефлектометрии для анализа процессов на ростовой поверхности InGaAs в условиях MOCVD"" // Изв. РАН, Серия физическая, 2000, 64 (2), 370 - 373

Н.В.Востоков, С.А.Гусев, И.В.Долгов, Ю.Н.Дроздов, З.Ф.Красильник, Д.Н.Лобанов, Л.Д.Молдавская, А.В.Новиков, В.В.Постников, Д.О.Филатов, "“Упругие напряжения и состав самоорганизующихся наноостровков GeSi на Si (001)”" // ФТП, 2000, 34 (1), 8 - 12

Ю.Н. Бузынин, С.А. Гусев, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин., ""Монокристаллические слои GaAs, AlGaAs и InGaAs, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках пористого арсенида галлия"" // Письма в ЖТФ, 2000, 26 (7), 64 - 69

V.A. Kurnaev, N.N. Trifonov, M.N. Drozdov, N.N. Salashchenko., ""On the possibility of the in situ growth control and nondestructive depth profiling of ultrathin multilayer structures using keV hydrogen ions"" // Vacuum, 2000, 56 (4), 253 - 255

V. F. Dryakhlushin, A Yu. Klimov, V.V. Rogov, V.I. Shashkin, L.V. Sukhodoev, D.G. Volgunov, N.V. Vostokov., ""Development of contact scanning probe lithography methods for fabrication of lateral nano-dimensional elements" " // Nanotechnology, 2000, 11 (3), 1 - 4

V.I. Shashkin, I.R. Karetnikova, A. Murel, I. Nefedov, I.A. Shereshevskii., ""Approach to Electrochemical C-V Profiling in Semiconductor with Sub-Debye-Length Resolution"." // IEEE Transactions on Electron Devices, 2000, 47 (6), 1221 - 1224

Z.F.Krasil'nik, I.V.Dolgov, Yu.N.Drozdov, D.O.Filatov, S.A.Gusev, D.N.Lobanov, L.D.Moldavskaya, A.V.Novikov, V.V.Postnikov, N.V.Vostokov, ""The elastic strain and composition of self - assembled GeSi island on Si(100)"" // Thin Solid Films, 2000, 367, 171 - 175

N.V.Vostokov, I.V.Dolgov, Yu.N.Drozdov, Z.F.Krasil'nik, D.N.Lobanov, L.D.Moldavskaya, A.V.Novikov, V.V.Postnikov, D.O.Filatov, ""Transition from "dome" to "pyramid" shape of self - assembled GeSi island"" // J. of Crystal Growth, 2000, 209, 302 - 305

G.M. Minkov, S.A. Negashev, O.E. Rut, A.V. Germanenko, O.I. Khrykin, V.I. Shashkin, V.M. Daniltsev., ""Analysis of negative magnetoresistance: Statistics of closed paths. II. Experiment"" // Phys. Rev, 2000, 61 (9), 13172 - 13176

Е.А. Вопилкин, А.Е. Парафин, А.Н. Резник, ""Интермодуляция в резонаторах сверхвысокой частоты на основе высокотемпературных сверхпроводников"" // ЖТФ, 2000, 70 (2), 74 - 80

Е.А. Вопилкин, С.А. Павлов, А.Н. Панин, А.Е. Парафин., ""Измерение интермодуляции в пленках YBaCuO"" // Письма в ЖТФ, 2000, 26 (8), 83 - 87

Ю.Н.Бузынин, С.А.Гусев, Ю.Н.Дроздов, А.В.Мурель., ""Пористый арсенид галлия с кластерами мышьяка"" // ЖТФ, 2000, 70 (5), 128 - 129

Нобелевской премии по химии 2011 посвящается
Нобелевской премии по химии 2011 посвящается

Наносистемы: физика, химия, математика (2024, Т. 15, № 2)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume15/15-2
Там же можно скачать номер журнала целиком.

Наносистемы: физика, химия, математика (2024, Т. 15, № 1)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume15/15-1
Там же можно скачать номер журнала целиком.

Наносистемы: физика, химия, математика (2023, Т. 14, № 5)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume14/14-5
Там же можно скачать номер журнала целиком.

Материалы к защитам магистерских квалификационных работ на ФНМ МГУ в 2024 году
коллектив авторов
29 – 31 мая пройдут защиты магистерских квалификационных работ выпускниками Факультета наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова.

Материалы к защитам магистерских квалификационных работ на ФНМ МГУ в 2023 году
коллектив авторов
30 мая - 01 июня пройдут защиты магистерских квалификационных работ выпускниками Факультета наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова.

Эра технопредпринимательства

В эпоху коронавируса и борьбы с ним в существенной степени меняется парадигма выполнения творческих работ и ведения бизнеса, в той или иной мере касаясь привлечения новых типов дистанционного взаимодействия, использования виртуальной реальности и элементов искусственного интеллекта, продвинутого сетевого маркетинга, использования современных информационных технологий и инновационных подходов. В этих условиях важным является, насколько само общество готово к использованию этих новых технологий и как оно их воспринимает. Данной проблеме и посвящен этот небольшой опрос, мы будет рады, если Вы уделите ему пару минут и ответите на наши вопросы.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.