Исследователи из Национального института стандартов и технологий (НИСТ) в сотрудничестве с учеными из университетов Мэриленда (Maryland) и Ховарда (Howard) разработали технологию получения тонких высокоэффективных светодиодов из нанопроволок. Как описано в недавней статье "365 nm operation of n-nanowire/p-gallium nitride homojunction light emitting diodes", полученные светодиоды испускают ультрафиолетовый свет – свет именно с той длиной волны, которая требуется для нанотехнологий, основанных на использовании света, включая хранение инофрмации.
Световые устройства нанометрового диапазона могут быть важными блоками для нового поколения компактных недорогих устройств, включая сенсоры и оптические устройства передачи информации. УФ-светодиоды, в частности, важны для устройств хранения информации и биологических сенсоров, таких как детекторы переносимых по воздуху патогенов. Наностержни, сделанные из класса полупроводников, включающего нитрид галлия, нитрид алюминия и нитрид индия – наиболее перспективные кандидаты для наноразмерных светодиодов.
Команда из НИСТ использовала ряд методов синтеза, таких как фотолитография, травление и нанесение металлического покрытия. Они ориентировали нанопроволоки используя электрическое поле, что позволяло сделать методику более быстрой и менее трудоемкой.
Одна из особенностей новых светодидов – то, что они сделаны из индивидуального соединения нитрида галлия. Каждый светодиод состоит из наностержня GaN n-типа, помещенного на тонкую пленку GaN p-типа. Светодиод, сделанный на основе p-n перехода одного соединения более эффективен по сравнению с использованием разных соединений. Он также требует меньше энергии.
Исследователи уже изготовили более 40 светодиодов, характеризующихся очень близкими излучательными свойствами. Они также характеризуются отличной термической стабильностью.
