Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

Конференция "Высокие технологии в промышленности России"

Ключевые слова:  конференция, нанотехнологии

23 апреля 2007

Московский государственный технический университет им. Н.Э.БауманаМОСКВА, 6-8 сентября 2007

Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана
при участии ОАО ЦНИТИ «Техномаш»



XIII Международная научно-техническая конференция

ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ (МАТЕРИАЛЫ И УСТРОЙСТВА ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ И МИКРОФОТОНИКИ)



XX Международный симпозиум

ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ


ПОСВЯЩАЕТСЯ 50-ЛЕТИЮ ОСВОЕНИЯ КОСМОСА

ОРГКОМИТЕТ КОНФЕРЕНЦИЙ

ПРЕДСЕДАТЕЛЬ

И.Б.Федоров – Ректор МГТУ им.Н.Э.Баумана, Москва

СОПРЕДСЕДАТЕЛИ
  • В.Д.Житковский – Генеральный директор ОАО ЦНИТИ "Техномаш", Москва
  • К.Е.Демихов – Проректор по научной работе МГТУ им.Н.Э.Баумана, Москва
ЧЛЕНЫ ОРГКОМИТЕТА
  • Ю.В.Панфилов – Заведующий кафедрой МГТУ им.Н.Э.Баумана, Москва – руководитель направления
  • А.Ф.Белянин – Руководитель научных программ, начальник отдела ОАО ЦНИТИ "Техномаш", Москва – руководитель направления
  • М.И.Самойлович – Руководитель научных программ, начальник отдела ОАО ЦНИТИ "Техномаш", Москва – руководитель направления
  • А.С.Багдасарян – Генеральный директор ЗАО НПП "ЭЛКО", Москва
  • В.В.Береговский – Заместитель директора института технологии поверхности и наноматериалов, Москва
  • С.В.Гапоненко – Директор Института молекулярной и атомной физики НАН Белоруссии, Минск
  • Ю.В.Гуляев – Директор Института радиотехники и электроники РАН, Москва.
  • В.М.Елинсон – Руководитель научных программ МАТИ – РГАТУ им.К.Э.Циолковского, Москва
  • В.В.Жиликов – Первый заместитель генерального директора ОАО ЦНИТИ "Техномаш", Москва
  • Н.Д.Жуков – Генеральный директор ФГУП НИИ"Волга", Саратов
  • Р.Каканаков – Директор Института прикладной физики БАН, Пловдив, Болгария
  • А.Г.Колесников – Руководитель НУК «Машиностроительные технологии» МГТУ им.Н.Э.Баумана, Москва
  • В.И.Конов – Директор Центра естественно-научных исследований Института общей физики РАН, Москва
  • В.С.Круглов – Заместитель директора Института сверхпроводимости и физики твердого тела РНЦ "Курчатовский институт", Москва
  • Е.А.Левашов – Проректор, директор Научно-учебного центра СВС Московского института стали и сплавов (ТУ), Москва
  • П.П.Мальцев – Начальник сектора секции прикладных проблем при Президиуме РАН, Москва
  • С.Б.Нестеров – Заместитель генерального директора ГУП НИИВТ им.
  • С.А.Векшинского, Москва
  • В.В.Одиноков – Генеральный директор ОАО НИИТМ, г.Зеленоград
  • Ю.М.Сарапулов – Генеральный директор ОАО НПО «Спецэлектромеханика», Москва
  • Н.С.Сергеева – Руководитель отдела МНИОИ им. П.А.Герцена, Москва
  • А.С.Сигов – Ректор Московского института радиотехники, электроники и автоматики (ТУ), Москва
  • В.И.Стафеев – Главный конструктор направления НПО "Орион", Москва
  • В.С.Урусов – Заведующий кафедрой МГУ им. М.В.Ломоносова, Москва
  • Ю.Б.Цветков – Заместитель заведующего кафедрой МГТУ им.Н.Э.Баумана, Москва
  • В.Я.Шевченко – Директор Института химии силикатов РАН, Санкт-Петербург
  • Э.М.Шпилевский – Заведующий отделом ГНУ "Института тепло- и массообмена" НАН Белоруссии, Минск
  • В.А.Шубарев – Генеральный директор ОАО "Авангард", Санкт-Петербург
  • В.М.Шулаев – Заместитель генерального директора по технологическим и опытно-конструкторским работам ННЦ Украины Харьковский физико-технический институт НАН Украины, Харьков
  • И.О.Шурчков – Вице-президент ОАО "Телеком", Москва
УЧЕНЫЙ СЕКРЕТАРЬ

Екатерина Вадимовна Булыгина – Доцент кафедры «Электронные технологии в машиностроении» МГТУ им.Н.Э.Баумана
тел.: (495)267-0983
факс: (495)267-1739
E-mail: bulygina@mx.bmstu.ru

ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ
XIII Международной научно-технической конференция "ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ" (Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) и XX Международного симпозиума "ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ"

  • Нанотехнология – инженерные проблемы.
  • Материалы, оборудование и технологии наноэлектроники и микрофотоники.
  • Новые технологии производства, обработки и исследования наноструктурированных материалов.
  • Системы и устройства радиотехники и средств связи.
  • Наноструктурированные материалы на основе углерода и фотонные кристаллы в оптоэлектронике и оптическом приборостроении.
  • Технологии и оборудование для производства приборов электронной техники и радиоэлектронных устройств.
  • Микроэлектромеханические системы в медицине и промышленности.
  • Получение, свойства и применение тонких плёнок в электронике.
  • Слоистые структуры на основе тонких пленок.
  • Методы контроля функциональных свойств материалов электронной техники, измерительная аппаратура и аналитические методы.
  • Моделирование и информационное обеспечение исследований.
ПУБЛИКАЦИИ
К началу работы конференций будут изданы сборники полных текстов докладов. Рабочие языки конференций – русский и английский.

ТРЕБОВАНИЯ К СОДЕРЖАНИЮ ДОКЛАДОВ
В докладах должны содержаться ранее не публиковавшиеся данные и результаты работ. Присланные доклады рецензируются.

Доклады с оригинальными сообщениями не должны превышать 10 машинописных страниц, обзорные доклады – 20 страниц, включая аннотацию, таблицы и иллюстрации. Тезисы докладов участников XIII Международной научно-технической конференции "ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ" (Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) И XX Международного симпозиума "ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ" не публикуются.

ТРЕБОВАНИЯ К ОФОРМЛЕНИЮ ДОКЛАДОВ
Материал доклада должен быть написан с максимальной ясностью и четкостью изложения текста. Авторы должны избегать необоснованного введения новых терминов и узкопрофильных жаргонных выражений.

Рабочий язык сборника докладов – русский.

Доклады также могут быть представлены на английском языке. Весь текст выполняется в редакторе Microsoft Word 2003 (и ниже). Текст аннотации (сначала на русском, затем на английском языках), располагается через строчку после указания адреса. Рисунки и фотографии должны быть отсканированы с разрешением 300 dpi в формате *.jpg или *.jpeg (черно-белая палитра или режим градации серого) и расположены в тексте статьи. Рисунки, блок-схемы, диаграммы вставляются как объекты «Рисунок Microsoft Word». Положение рисунков устанавливается «В тексте» (при щелчке мышью по рисунку, он должен обрамляться черной сплошной рамкой). Вне зависимости от размеров, рисунки задаются в отдельных абзацах, без обтекания текстом. В параметрах абзаца, в положении на странице ставится галочка «Не отрывать от следующего». Для записи формул и уравнений следует использовать встроенный редактор уравнений. Использование псевдографики для подготовки таблиц не допускается.

Пример оформления доклада с указанием требований к форматированию текста приведен в информационном листке.

Доклады, не соответствующие перечисленным требованиям, будут отправлены авторам для доработки. Присланные материалы не возвращаются. Оргкомитет оставляет за собой право отклонять представленные доклады по следующим причинам: небрежное оформление, несоответствие тематике, отсутствие новизны, а также задержка с представлением доклада, что обусловлено сжатыми сроками представления сборников докладов в печать.

ПРЕДСТАВЛЕНИЕ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ПУБЛИКАЦИИ
В Оргкомитет XIII Международной научно-технической конференции "ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ" (Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) И XX Международного симпозиума "ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ" до 1 июня 2007 года должны быть направлены следующие материалы:
  1. Доклад, файлы рисунков и заполненная заявка должны быть направлены по электронной почте.
  2. Необходимо также сообщить название желаемой секции, в которой планируется участие докладчика.
  3. Одновременно по почте необходимо прислать
    • доклад, оформленный в соответствии с приведенным образцом;
    • экспертное заключение (разрешение на открытое опубликование статьи);
    • сведения об авторах: (ФИО, название представляемой организации, должность, ученая степень и звание, домашний или служебный адреса с индексами, телефоны, факс, E-mail).

Адреса для переписки:
105005, Россия, г. Москва, 2-я Бауманская ул., 5, МТ-11
E-mail: bulygina@bmstu.ru; panfilov@bmstu.ru
(495) 267-0983, Тел./факс (495)267-1739


121108, Россия, г. Москва, ул. Ивана Франко, 4
E-mail: samoylovich@technomash.ru
(495) 146-1095, Тел./факс (495)146-1942

Ковер Серпинского
Ковер Серпинского

Конкурс логотипа ФНМ МГУ
Факультет наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова объявляет творческий конкурс логотипа (эмблемы) ФНМ, работы принимаются с 21 августа до 15 сентября 2019 года. Участники - все, кто имеет или когда бы то ни было имел отношение к ФНМ МГУ: студенты, аспиранты, преподаватели, сотрудники, выпускники, а также все творческие люди из большой университетской семьи.

Продолжается прием статей в 11-й выпуск Межвузовского сборника научных трудов «Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов»
Продолжается прием статей в 11-й выпуск Межвузовского сборника научных трудов «Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов»

Участие НТ-МДТ Cпектрум Инструментс в конференции “ГРАФЕН: МОЛЕКУЛА И 2D КРИСТАЛЛ”
Участие НТ-МДТ Cпектрум Инструментс в конференции “ГРАФЕН: МОЛЕКУЛА И 2D КРИСТАЛЛ” 5-9 августа 2019 года в Новосибирске

3D нанотехнологии в физике, химии, биологии, медицине и инженерном искусстве
И.В.Яминский
Материалы лекции проф. МГУ, д.ф.-м.н., генерального директора Центра Перспективных технологий И.В.Яминского "3D нанотехнологии в физике, химии, биологии, медицине и инженерном искусстве". 3D принтер, сканирующий зондовый микроскоп и фрезерный станок. Что общего между ними? Как конструировать их своими руками? Небольшой экскурс в практические нанотехнологии. Поучительная история о создании сканирующего туннельного микроскопа. От идеи до нобелевской премии за 5 лет. Взгляд в микромир – от атомов и молекул до живых клеток. Как взвесить массу одного атома? Вирусы и бактерии – наши друзья или враги? Медицинские приложения нанотехнологий – нанобиосенсоры для обнаружения биологических агентов.

Материалы и пленочные структуры спинтроники и стрейнтроники
В.А.Кецко
Девятый Наноград, проходивший в Ханты - Мансийске, собрал талантливых школьников, интересных лекторов и преподавателей в области наноматериалов, нанотехнологий и технопредпринимательства. В сообщении даны материалы лекции д.х.н., в.н.с. ИОНХ РАН В.А.Кецко "Материалы и пленочные структуры спинтроники и стрейнтроники".

Лекции и семинары от ФНМ МГУ на Нанограде
Е.А.Гудилин
Девятый Наноград, проходивший в Ханты - Мансийске, собрал талантливых школьников, интересных лекторов и преподавателей в области наноматериалов, нанотехнологий и технопредпринимательства. Ниже даны материалы лекций и семинаров представителя ФНМ МГУ проф., д.х.н. Е.А.Гудилина.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!

Опыт обучения в области нанотехнологического технопредпринимательства

В этом опросе мы просим поделиться опытом и Вашим отношением к нанотехнологическому технопредпринимательству и смежным областям. Заранее спасибо за Ваше неравнодушие!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.