Корпорация Toshiba объявила о том, что ей удалось совершить прорыв в области анализа характера движения электронов и распределения примесей в полупроводниках, что позволило впервые провести исследования с 1-нанометровой точностью. Это крупное достижение на основе сканирующей микроскопии сопротивления растекания (scanning spreading resistance microscopy или SSRM) является важным шагом вперед на пути интеграции высокого уровня современных микросхем (Large Scale Integration или LSI) с целью достижения уровня 45-нанометрового технологического процесса и дальнейшего его уменьшения.
Сканирующая микроскопия сопротивления растекания (SSRM) является предпочтительной технологией для получения двумерных изображений дифференциальных проводимостей на поперечном сечении полупроводника, позволяющей проводить исследования распределения электронов проводимости и примесей. В последнее время данная методика довольно востребована, поскольку допуски, необходимые для 45-нм поколения LSI, делают необходимым изучение распределения плотности электронов проводимости в проводящих каналах и возможность контроля легирования с 1нм уровнем точности.
SSRM использует сканирующий зонд для получения двумерных изображений распределения носителей зарядов в полупроводниковых устройствах. Однако уровень точности SSRM с самым высоким разрешением, использующей обычные зонды, оставался не выше 5 нм.
Существуют, главным образом, две проблемы SSRM: ухудшение точности изображения из-за влияния паров воды на образце и сложность обеспечения стабильного контакта между образцом и зондом. В некоторой степени преодолеть эти проблемы удалось благодаря тому, что SSRM проводилась в вакууме и была усовершенствована система позиционирования зонда. Это позволило оптимизировать сканирование и усовершенствовать методику исследования до точности в 1 нанометр, которая ранее еще не достигалась. Полученные достижения уже применяются фирмой Toshiba с целью усовершенствования технологического процесса до 45 нанометров.
