Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
Рис. 1. АСМ и СЭМ изображение нанесенных КТ
Рис. 2. Профиль электронной плотности
Рис. 3. Карта распределения электронной плотности

Как образуются квантовые точки

Ключевые слова:  квантовые точки

Опубликовал(а):  Уточникова Валентина Владимировна

11 октября 2009

Квантовые точки (КТ) интенсивно применяются в оптоэлектронике и многих других областях, поскольку одним из их преимуществ является возможность аккуратно изменять оптоэлектронные свойства, подбирая необходимый размер и состав КТ. И в первую очередь при росте КТ важны параметры процессов кристаллизации. Хотя известный метод эпитаксиального нанесения "капельных" точек ("островков") позволяет получать КТ на подложке для огромного количества материалов, до сих пор почти ничего неизвестно о механизмах этого процесса. Подобное исследование было проведено методом рентгеновского рассеяния с использованием когерентного Брегговского анализа, который позволяет получать карты электронной плотности и, соответственно, извлекать ряд ключевых параметров, такие как распределение химического состава, стекинг, напряжение и форма частиц. Этот метод часто применяется при эпитаксиальном росте КТ.

Морфологию полученных массивов КТ изначально оценивали по данным АСМ и СЭМ (Рис. 1). Основной же целью применения рентгеновских методов было точная комплексная структурная характеризация с тем, чтобы затем составить трехмерную карту электронной плотности. В результате анализа полученных данных получены профили электронной плотности (Рис. 2) в направлении, перпендикулярном подложке. Они свидетельствуют о том, что на поверхности подложке содержится большая концентрация InAs, а GaSb является внешней оболочкой (концентрация сурьмы растет к вершине КТ). Стрелкой показано смещение последовательности упаковки атомов относительно подложки. На верхнем вложенном рисунке представлена возможная схема структуры "капельных" КТ, а на нижнем – распределение сурьмы и индия по высоте. Пример карты электронной плотности на высоте 13 Å отображен на Рис. 3. При этом сделан следующий вывод о протекающем процессе: индий "атакует" поверхность подложки GaAs, замещая в подложке галлий. При выбранной температуре роста мышьяк обладает заметным давлением пара, так что освободившийся галлий взаимодействует с мышьяком, формируя ядро точки. Оставшийся галлий взаимодействует с паром сурьмы, формируя внешнюю оболочку точки. Процесс сопровождается разупорядочением, что выражается в уширении на картах электронной плотности.

Пока что представленные результаты кажутся применимыми лишь к одной системе, однако они являются более общими и могут использоваться в будущем и для других КТ.


Источник: Nature Nanotechnology



Комментарии
А это поможет школьникам понять люминисценцию и флуоресценцию?
ЛюминЕсценция (от "luminescence") - разновидность/тип флюоресценции (ученых много разных, и терминов раличных кучу они напридумывали, возможно, чтобы не всякий каждый сразу мог уловить суть и смысл...)

Но если знать, как правильно пишутся слова, то всезнающий Гугл может оказать огромную помощь в обучении
Crab Cakes, 26 октября 2009 00:59 
Не пудрите детям мозги, ламер. Флуоресценция - разновидность люмисценции,
а не наоборот, недоучка. Диаграмма Яблонского, боюсь, не для школьников.
Да, Вы правы, - люминесценция более общий термин, и включает в себя флюоресценцию. Я ошибся в комментарии выше. Спасибо. И сожалею, что Вам пришлось выражать свои мысли в такой неприглядной форме.
Crab Cakes, 26 октября 2009 09:54 
Видимо совсем неприглядная форма :-)
Для особо образованных повторяю люминисценция - есть самый общий термин
когда мы получаем свет от вещества
не раскаляя его до неприличных температур по Планку. Мда, нанотехнологи.
Трусов Л. А., 26 октября 2009 13:23 
о, очередное пришествие
Я поправил выше, как правильно с Вашей помощью.
Почему я написал так и второй раз, и для меня просто загадка.
Еще раз спасибо за конструктивную критику, таинственный анонимный автор.
А также за то, что Вы смогли выразить Ваши мысли в вежливой форме во втором комментарии и дали хорошее краткое объяснение люминесценции: "светится, но не раскалённое"
Владимир Владимирович,
способность делать ошибки/опечатки как раз и отличает "homo sapiens" от всяческих "intel inside"
Вот и Crab Cakes написал "люмисценции" - значит, живой человек Алексей, а не бот программный. Приятно
Кстати, у фразы "errare humanum est" в оригинале есть окончание: "stultum est in errore perseverare". Респект, если с этим всё нормально. Как у Вас

Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Дивидюк
Дивидюк

Поступление в совместный российско-китайский Университет МГУ-ППИ в Шэньчжэне
В июле 2019 года в МГУ имени М.В. Ломоносова проходит набор учащихся на программы МГУ, реализуемые в Университете МГУ-ППИ в Шэньчжэне. Поступление в совместный университет – это возможность учиться в самом быстроразвивающемся городе мира на русском языке у ведущих преподавателей МГУ по самым современным программам, получить образование мирового уровня и дипломы сразу двух университетов, овладев китайским языком. Для поступления в совместный университет не требуется владения китайским языком. Прием документов и экзамены проходят на территории МГУ. Абитуриенты имеют право поступать одновременно в МГУ имени М.В. Ломоносова и МГУ-ППИ в Шэньчжэне.

Вокруг Нанограда
Девятый Наноград, проходивший в Ханты - Мансийске, собрал талантливых школьников, интересных лекторов и преподавателей в области наноматериалов, нанотехнологий и технопредпринимательства. И сам город оказался молодым, динамичным, современным и интересным. Ниже дан небольшой фоторепортаж вокруг Нанограда, беглый взгляд, что собой представляет Ханты - Мансийск.

На лекциях Нанограда 2019
Девятый Наноград, проходивший в Ханты - Мансийске, собрал талантливых школьников, интересных лекторов и преподавателей в области наноматериалов, нанотехнологий и технопредпринимательства. Мы приводим небольшой фоторепортаж с различных лекций Нанограда.

3D нанотехнологии в физике, химии, биологии, медицине и инженерном искусстве
И.В.Яминский
Материалы лекции проф. МГУ, д.ф.-м.н., генерального директора Центра Перспективных технологий И.В.Яминского "3D нанотехнологии в физике, химии, биологии, медицине и инженерном искусстве". 3D принтер, сканирующий зондовый микроскоп и фрезерный станок. Что общего между ними? Как конструировать их своими руками? Небольшой экскурс в практические нанотехнологии. Поучительная история о создании сканирующего туннельного микроскопа. От идеи до нобелевской премии за 5 лет. Взгляд в микромир – от атомов и молекул до живых клеток. Как взвесить массу одного атома? Вирусы и бактерии – наши друзья или враги? Медицинские приложения нанотехнологий – нанобиосенсоры для обнаружения биологических агентов.

Материалы и пленочные структуры спинтроники и стрейнтроники
В.А.Кецко
Девятый Наноград, проходивший в Ханты - Мансийске, собрал талантливых школьников, интересных лекторов и преподавателей в области наноматериалов, нанотехнологий и технопредпринимательства. В сообщении даны материалы лекции д.х.н., в.н.с. ИОНХ РАН В.А.Кецко "Материалы и пленочные структуры спинтроники и стрейнтроники".

Лекции и семинары от ФНМ МГУ на Нанограде
Е.А.Гудилин
Девятый Наноград, проходивший в Ханты - Мансийске, собрал талантливых школьников, интересных лекторов и преподавателей в области наноматериалов, нанотехнологий и технопредпринимательства. Ниже даны материалы лекций и семинаров представителя ФНМ МГУ проф., д.х.н. Е.А.Гудилина.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!

Опыт обучения в области нанотехнологического технопредпринимательства

В этом опросе мы просим поделиться опытом и Вашим отношением к нанотехнологическому технопредпринимательству и смежным областям. Заранее спасибо за Ваше неравнодушие!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.